參數(shù)資料
型號： NAND02GW3B3BZB1F
廠商： NUMONYX
元件分類： PROM
英文描述： 256M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA63
封裝： 9.50 X 12 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TFBGA-63
文件頁數(shù)： 44/59頁
文件大?。?/td> 998K
代理商： NAND02GW3B3BZB1F
49/59
NAND512-B, NAND01G-B, NAND02G-B, NAND04G-B, NAND08G-B
Figure 32. Page Program AC Waveform
Note: A fifth address cycle is required for 2Gb, 4Gb and 8Gb devices.
CL
E
W
AL
R
I/O
RB
SR0
ai08668
N
Last
10h
70h
80h
Page Program
Setup Code
Confirm
Code
Read Status Register
tWLWL
tWHBL
tBLBH2
Page
Program
Address Input
Data Input
Add.N
cycle 1
Add.N
cycle 4
Add.N
cycle 3
Add.N
cycle 2
(Write Cycle time)
(Program Busy time)
相關PDF資料
PDF描述
NAND02GW3B3BN1F 256M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48
NAND02GW3B3CN6 256M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48
NAND04GR3B3BN1F 512M X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PDSO48
NAND512W3B3BN1E 64M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48
NAND512W3B3CN6E 64M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48
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參數(shù)描述
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