參數(shù)資料
型號(hào)： NAND02GW3B3BZB1F
廠商： NUMONYX
元件分類： PROM
英文描述： 256M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA63
封裝： 9.50 X 12 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TFBGA-63
文件頁(yè)數(shù)： 36/59頁(yè)
文件大小： 998K
代理商： NAND02GW3B3BZB1F
41/59
NAND512-B, NAND01G-B, NAND02G-B, NAND04G-B, NAND08G-B
Table 22. DC Characteristics, 1.8V Devices
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
IDD1
Operating
Current
Sequential
Read
tRLRL minimum
E=VIL, IOUT = 0 mA
-
8
15
mA
IDD2
Program
-
8
15
mA
IDD3
Erase
-
8
15
mA
IDD5
Standby Current (CMOS)
E=VDD-0.2,
WP=0/VDD
-
10
50
A
ILI
Input Leakage Current
VIN= 0 to VDDmax
-
±10
A
ILO
Output Leakage Current
VOUT= 0 to VDDmax
-
±10
A
VIH
Input High Voltage
-
VDD-0.4
-
VDD+0.3
V
VIL
Input Low Voltage
-
-0.3
-
0.4
V
VOH
Output High Voltage Level
IOH = -100A
VDD-0.1
-
V
VOL
Output Low Voltage Level
IOL = 100A
-
0.1
V
IOL (RB)
Output Low Current (RB)
VOL = 0.1V
3
4
mA
VLKO
VDD Supply Voltage (Erase and
Program lockout)
-
1.5
V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NAND02GW3B3BN1F 256M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48
NAND02GW3B3CN6 256M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48
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NAND512W3B3BN1E 64M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48
NAND512W3B3CN6E 64M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48
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參數(shù)描述
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NAND04GR3B2EN6F 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Tape and Reel
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