參數(shù)資料
型號(hào)： NAND01GR4A3AZB6F
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： PROM
英文描述： 64M X 16 FLASH 1.8V PROM, 15000 ns, PBGA63
封裝： 8.50 X 15 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-63
文件頁(yè)數(shù)： 46/56頁(yè)
文件大?。?/td> 882K
代理商： NAND01GR4A3AZB6F
NAND128-A, NAND256-A, NAND512-A, NAND01G-A
50/56
Figure 43. VFBGA63 8.5 x 15mm - 6x8 active ball array, 0.80mm pitch, Package Outline
Note: Drawing is not to scale.
Table 26. VFBGA63 8.5 x 15mm - 6x8 active ball array, 0.80mm pitch, Package Mechanical Data
Symbol
millimeters
inches
Typ
Min
Max
Typ
Min
Max
A
1.050
0.0413
A1
0.250
0.0098
A2
0.700
0.0276
b
0.450
0.400
0.500
0.0177
0.0157
0.0197
D
8.500
8.400
8.600
0.3346
0.3307
0.3386
D1
4.000
0.1575
D2
7.200
0.2835
ddd
0.100
0.0039
E
15.000
14.900
15.100
0.5906
0.5866
0.5945
E1
5.600
0.2205
E2
8.800
0.3465
e
0.800
0.0315
FD
2.250
0.0886
FD1
0.650
0.0256
FE
4.700
0.1850
FE1
3.100
0.1220
SD
0.400
0.0157
SE
0.400
0.0157
E
D
eb
SD
SE
A2
A1
A
BGA-Z53
ddd
FD1
D2
E2
e
FE
BALL "A1"
FE1
e
E1
D1
FD
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NAND01GW4A3AN1T 64M X 16 FLASH 3V PROM, 12000 ns, PDSO48
NAND01GW4A1AZB1E 64M X 16 FLASH 3V PROM, 12000 ns, PBGA63
NAND256W3A1AV1T 32M X 8 FLASH 3V PROM, 10000 ns, PDSO48
NAND256R4A1AN1 16M X 16 FLASH 1.8V PROM, 10000 ns, PDSO48
NAND256R4A3AN1 16M X 16 FLASH 1.8V PROM, 10000 ns, PDSO48
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參數(shù)描述
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NAND01GR4B2ADI6 功能描述:閃存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問(wèn)時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
NAND01GR4B2AN1 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory
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NAND01GR4B2AZA1 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory
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