參數(shù)資料
型號(hào)： NAND01GR4A3AZB6F
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： PROM
英文描述： 64M X 16 FLASH 1.8V PROM, 15000 ns, PBGA63
封裝： 8.50 X 15 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-63
文件頁數(shù)： 28/56頁
文件大?。?/td> 882K
代理商： NAND01GR4A3AZB6F
NAND128-A, NAND256-A, NAND512-A, NAND01G-A
34/56
Table 18. DC Characteristics, 1.8V Devices
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
IDD1
Operating
Current
Sequential
Read
tRLRL minimum
E=VIL, IOUT = 0 mA
-
8
15
mA
IDD2
Program
-
8
15
mA
IDD3
Erase
-
8
15
mA
IDD5
Stand-By Current (CMOS)
128Mb, 256Mb, 512Mb devices
E=VDD-0.2,
WP=0/VDD
-
10
50
A
Stand-By Current (CMOS)
512Mb and 1Gb Dual Die devices
-
20
100
A
ILI
Input Leakage Current
VIN= 0 to VDDmax
-
±10
A
ILO
Output Leakage Current
VOUT= 0 to VDDmax
-
±10
A
VIH
Input High Voltage
-
VDD-0.4
-
VDD+0.3
V
VIL
Input Low Voltage
-
-0.3
-
0.4
V
VOH
Output High Voltage Level
IOH = -100A
VDD-0.1
-
V
VOL
Output Low Voltage Level
IOL = 100A
-
0.1
V
IOL (RB)
Output Low Current (RB)
VOL = 0.1V
3
4
mA
VLKO
VDD Supply Voltage (Erase and
Program lockout)
-
1.5
V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NAND01GW4A3AN1T 64M X 16 FLASH 3V PROM, 12000 ns, PDSO48
NAND01GW4A1AZB1E 64M X 16 FLASH 3V PROM, 12000 ns, PBGA63
NAND256W3A1AV1T 32M X 8 FLASH 3V PROM, 10000 ns, PDSO48
NAND256R4A1AN1 16M X 16 FLASH 1.8V PROM, 10000 ns, PDSO48
NAND256R4A3AN1 16M X 16 FLASH 1.8V PROM, 10000 ns, PDSO48
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參數(shù)描述
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NAND01GR4B2ADI6 功能描述:閃存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
NAND01GR4B2AN1 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory
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NAND01GR4B2AZA1 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory
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