型號(hào): | MTD6N15T4 |
廠商: | ON SEMICONDUCTOR |
元件分類(lèi): | 功率晶體管 |
英文描述: | Power Field Effect Transistor DPAK for Surface Mount |
中文描述: | 6 A, 150 V, 0.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
封裝: | CASE 369C-01, DPAK-3 |
文件頁(yè)數(shù): | 8/10頁(yè) |
文件大?。?/td> | 231K |
代理商: | MTD6N15T4 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
MTD6N15-1 | Power Field Effect Transistor DPAK for Surface Mount |
MTD8N06E | TMOS POWER FET 8.0 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.12 OHM |
MTD9N10E | TMOS POWER FET 9.0 AMPERES 100 VOLTS RDS(on) = 0.25 OHM |
MTDF1N02HD | DUAL TMOS POWER MOSFET 1.7 AMPERES 20 VOLTS RDS(on) = 0.120 OHM |
MTDF1N03HD | DUAL TMOS POWER MOSFET 2.0 AMPERES 30 VOLTS RDS(on) = 0.120 OHM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
---|---|
MTD6N15T4G | 功能描述:MOSFET NFET DPAK 150V 6A 300mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
MTD6N15T4GV | 功能描述:MOSFET Single N-Ch 150V 6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
MTD6N20 | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MOSFET N D-PAK |
MTD6N20E | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
MTD6N20E1 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |