參數(shù)資料
型號(hào)： MTD6N15-1
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Power Field Effect Transistor DPAK for Surface Mount
中文描述： 6 A, 150 V, 0.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： CASE 369D-01, DPAK-3
文件頁數(shù)： 3/10頁
文件大?。?/td> 231K
代理商： MTD6N15-1
3
Motorola TMOS Power MOSFET Transistor Device Data
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
2
1.6
1.2
0.8
0.4
0
–50
VDS, DRAIN–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. On–Region Characteristics
ID
TJ = 25
°
C
24
20
16
12
8
4
0
60
50
40
30
20
10
0
10 V
9 V
8 V
7 V
6 V
5 V
VDS = VGS
ID = 1 mA
–50
0
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
50
100
150
Figure 3. Gate–Threshold Voltage Variation
With Temperature
V
3.6
3.2
2.8
2.4
2
ID
VGS, GATE–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 4. Transfer Characteristics
VDS = 10 V
TJ = 25
°
C
–55
°
C
100
°
C
14
12
10
8
6
4
2
0
4
6
8
10
2
1.6
1.2
0.8
0.4
0
–50
0
50
100
150
200
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
Figure 5. Breakdown Voltage Variation
With Temperature
V
(
VGS = 0 V
ID = 0.25 mA
R
ID, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 6. On–Resistance versus Drain Current
VGS = 10 V
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0
20
16
12
8
4
0
TJ = 100
°
C
25
°
C
–55
°
C
R
(
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
Figure 7. On–Resistance Variation
With Temperature
VGS = 10 V
ID = 3 A
0
50
100
150
200
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