參數(shù)資料
型號(hào)： MTD6N10E
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： JFETs
英文描述： TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 100 VOLTS RDS(on) = 0.400 OHM
中文描述： 6 A, 100 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 6/10頁(yè)
文件大小： 211K
代理商： MTD6N10E
6
Motorola TMOS Power MOSFET Transistor Device Data
SAFE OPERATING AREA
TJ, STARTING JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
EA
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
0.1
1.0
100
VDS, DRAIN–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy versus
Starting Junction Temperature
1.0
10
100
A
I
RDS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
0.1
0
25
50
75
100
125
VGS = 20 V
SINGLE PULSE
TC = 25
°
C
40
20
10
5
ID = 6 A
30
10
150
t, TIME (s)
Figure 13. Thermal Response
r
T
R
θ
JC(t) = r(t) R
θ
JC
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t1
TJ(pk) – TC = P(pk) R
θ
JC(t)
P(pk)
t1
t2
DUTY CYCLE, D = t1/t2
Figure 14. Diode Reverse Recovery Waveform
di/dt
trr
ta
tp
IS
0.25 IS
TIME
IS
tb
1.0E–05
1.0E–04
1.0E–03
0.01
0.1
0.2
0.02
0.01
SINGLE PULSE
0.1
0.05
1.0
D = 0.5
100
μ
s
1 ms
10 ms
dc
50
35
25
45
15
1.0E–02
1.0E–01
1.0E+00
1.0E+01
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PDF描述
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