參數(shù)資料
型號(hào)： MTB50P03HDL
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： Power MOSFET 50 Amps, 30 Volts, Logic Level(50A, 30V, D2PAK, P溝道功率MOSFET)
中文描述： 50 A, 30 V, 0.025 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： CASE 418B-04, D2PAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 11/12頁(yè)
文件大?。?/td> 94K
代理商： MTB50P03HDL
MTB50P03HDL
http://onsemi.com
11
PACKAGE DIMENSIONS
D2PAK
CASE 418B–03
ISSUE D
STYLE 2:
PIN 1. GATE
2. DRAIN
3. SOURCE
4. DRAIN
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
SEATING
PLANE
S
G
D
–T–
M
0.13 (0.005)
T
2
3
1
4
3 PL
K
J
H
V
E
C
A
DIM
A
B
C
D
E
G
H
J
K
S
V
MIN
0.340
0.380
0.160
0.020
0.045
0.100 BSC
0.080
0.018
0.090
0.575
0.045
MAX
0.380
0.405
0.190
0.035
0.055
MIN
8.64
9.65
4.06
0.51
1.14
2.54 BSC
2.03
0.46
2.29
14.60
1.14
MAX
9.65
10.29
4.83
0.89
1.40
MILLIMETERS
INCHES
0.110
0.025
0.110
0.625
0.055
2.79
0.64
2.79
15.88
1.40
–B–
M
B
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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MTD20N06HDLT4G Power MOSFET 20 Amps, 60 Volts, Logic Level N−Channel DPAK
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參數(shù)描述
MTB50P03HDLG 功能描述:MOSFET PFET 30V 50A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
MTB50P03HDLT4 功能描述:MOSFET 30V 50A Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
MTB50P03HDLT4G 功能描述:MOSFET PFET D2PAK 30V 50A 25mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
MTB50SA 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:Full-Size (7.3mm or 4.7mm height)
MTB50SAM 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:Full-Size (7.3mm or 4.7mm height)
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