- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄385641 > MT9LD272AG (Micron Technology, Inc.) 2Meg x 72 Nonbuffered DRAM DIMMs(2M x 72無緩沖動態(tài)RAM雙列直插存儲器模塊) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | MT9LD272AG |
| 廠商： | Micron Technology, Inc. |
| 英文描述： | 2Meg x 72 Nonbuffered DRAM DIMMs(2M x 72無緩沖動態(tài)RAM雙列直插存儲器模塊) |
| 中文描述： | 2Meg × 72 Nonbuffered內(nèi)存插槽（200萬× 72無緩沖動態(tài)RAM的雙列直插存儲器模塊） |
| 文件頁數(shù)： | 11/30頁 |
| 文件大?。?/td> | 410K |
| 代理商： | MT9LD272AG |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁當(dāng)前第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁
2, 4 Meg x 72 Nonbuffered DRAM DIMMs
DM60.p65 – Rev. 6/98
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
1998, Micron Technology, Inc.
11
2, 4 MEG x 72
NONBUFFERED DRAM DIMMs
OBSOLETE
FAST PAGE MODE
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(Notes: 5, 6, 7, 8, 9, 12, 29) (V
DD
= +3.3V
±
0.3V)
AC CHARACTERISTICS - FAST PAGE MODE OPTION
PARAMETER
FAST-PAGE-MODE READ-WRITE cycle time
Access time from RAS#
RAS# to column-address delay time
Row-address hold time
RAS# pulse width
RAS# pulse width (FAST PAGE MODE)
Random READ or WRITE cycle time
RAS# to CAS# delay time
READ command hold time (referenced to CAS#)
READ command setup time
Refresh period (2,048 cycles)
RAS# precharge time
RAS# to CAS# precharge time
READ command hold time (referenced to RAS#)
RAS# hold time
READ-WRITE cycle time
RAS# to WE# delay time
WRITE command to RAS# lead time
Transition time (rise or fall)
WRITE command hold time
WRITE command hold time (referenced to RAS#)
WE# command setup time
WRITE command pulse width
WE# hold time (CBR Refresh)
WE# setup time (CBR Refresh)
-6
SYMBOL
t
PRWC
t
RAC
t
RAD
t
RAH
t
RAS
t
RASP
t
RC
t
RCD
t
RCH
t
RCS
t
REF
t
RP
t
RPC
t
RRH
t
RSH
t
RWC
t
RWD
t
RWL
t
T
t
WCH
t
WCR
t
WCS
t
WP
t
WRH
t
WRP
MIN
85
MAX
UNITS
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
NOTES
60
13
17
15
10
60
60
110
20
0
0
10,000
125,000
16
18
32
40
0
0
15
155
85
15
2
10
45
0
10
10
10
18
23
50
23
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT9LD272 | 2Meg x 72 Buffered DRAM DIMMs(2M x 72緩沖動態(tài)RAM模塊（雙列直插存儲器模塊）) |
| MT9VDDT1672A | DDR SDRAM DIMM |
| MT9VDDT3272A | DDR SDRAM DIMM |
| MTB2P50E | Power MOSFET 2 Amps, 500 Volts(2A, 500V功率MOSFET) |
| MTB50P03HDL | Power MOSFET 50 Amps, 30 Volts, Logic Level(50A, 30V, D2PAK, P溝道功率MOSFET) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MT9LD272AG-52B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x72 Burst EDO Page Mode DRAM Module |
| MT9LD272AG-5X | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x72 EDO Page Mode DRAM Module |
| MT9LD272AG-6 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x72 Fast Page Mode DRAM Module |
| MT9LD272AG-60B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x72 Burst EDO Page Mode DRAM Module |
| MT9LD272AG-6X | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:2, 4 MEG x 72 NONBUFFERED DRAM DIMMs |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。