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參數(shù)資料
| 型號： | MT9LD272AG |
| 廠商： | Micron Technology, Inc. |
| 英文描述： | 2Meg x 72 Nonbuffered DRAM DIMMs(2M x 72無緩沖動(dòng)態(tài)RAM雙列直插存儲器模塊) |
| 中文描述： | 2Meg × 72 Nonbuffered內(nèi)存插槽（200萬× 72無緩沖動(dòng)態(tài)RAM的雙列直插存儲器模塊） |
| 文件頁數(shù)： | 10/30頁 |
| 文件大?。?/td> | 410K |
| 代理商： | MT9LD272AG |
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2, 4 Meg x 72 Nonbuffered DRAM DIMMs
DM60.p65 – Rev. 6/98
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
1998, Micron Technology, Inc.
10
2, 4 MEG x 72
NONBUFFERED DRAM DIMMs
OBSOLETE
CAPACITANCE
PARAMETER
Input Capacitance: A0-A10
Input Capacitance: WE0#, WE2#, OE0#, OE2#
Input Capacitance: RAS0#, RAS2#
Input Capacitance: CAS0#-CAS7#
Input Capacitance: SCL, SA0-SA2
Input/Output Capacitance: DQ0-DQ63, CB0-CB7, SDA
SYMBOL
C
I
1
C
I
2
C
I
3
C
I
4
C
I
5
C
IO
16MB
51
39
39
17
6
10
32MB
96
67
67
24
6
10
UNITS
pF
pF
pF
pF
pF
pF
NOTES
2
2
2
2
2
2
MAX
FAST PAGE MODE
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(Notes: 5, 6, 7, 8, 9, 12, 29) (V
DD
= +3.3V
±
0.3V)
AC CHARACTERISTICS - FAST PAGE MODE OPTION
PARAMETER
Access time from column address
Column-address hold time (referenced to RAS#)
Column-address setup time
Row-address setup time
Column address to WE# delay time
Access time from CAS#
Column-address hold time
CAS# pulse width
CAS# hold time (CBR Refresh)
CAS# to output in Low-Z
CAS# precharge time
Access time from CAS# precharge
CAS# to RAS# precharge time
CAS# hold time
CAS# setup time (CBR Refresh)
CAS# to WE# delay time
WRITE command to CAS# lead time
Data-in hold time
Data-in setup time
Output disable
Output enable
OE# hold time from WE# during READ-MODIFY-WRITE cycle
Output buffer turn-off delay
OE# setup prior to RAS# during HIDDEN REFRESH cycle
FAST-PAGE-MODE READ or WRITE cycle time
-6
SYMBOL
t
AA
t
AR
t
ASC
t
ASR
t
AWD
t
CAC
t
CAH
t
CAS
t
CHR
t
CLZ
t
CP
t
CPA
t
CRP
t
CSH
t
CSR
t
CWD
t
CWL
t
DH
t
DS
t
OD
t
OE
t
OEH
t
OFF
t
ORD
t
PC
MIN
MAX
30
UNITS
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
NOTES
45
0
0
55
23
14
15
10
15
10
3
10
10,000
4
25
15
35
5
60
5
40
15
10
0
3
4
23
22
22
15
15
15
3
0
35
21
15
19, 25, 26
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT9LD272 | 2Meg x 72 Buffered DRAM DIMMs(2M x 72緩沖動(dòng)態(tài)RAM模塊（雙列直插存儲器模塊）) |
| MT9VDDT1672A | DDR SDRAM DIMM |
| MT9VDDT3272A | DDR SDRAM DIMM |
| MTB2P50E | Power MOSFET 2 Amps, 500 Volts(2A, 500V功率MOSFET) |
| MTB50P03HDL | Power MOSFET 50 Amps, 30 Volts, Logic Level(50A, 30V, D2PAK, P溝道功率MOSFET) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MT9LD272AG-52B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x72 Burst EDO Page Mode DRAM Module |
| MT9LD272AG-5X | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x72 EDO Page Mode DRAM Module |
| MT9LD272AG-6 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x72 Fast Page Mode DRAM Module |
| MT9LD272AG-60B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x72 Burst EDO Page Mode DRAM Module |
| MT9LD272AG-6X | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:2, 4 MEG x 72 NONBUFFERED DRAM DIMMs |
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