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參數(shù)資料
| 型號： | MT4LC8M8P4TG-5 |
| 廠商： | Micron Technology, Inc. |
| 英文描述： | DRAM |
| 中文描述： | 內(nèi)存 |
| 文件頁數(shù)： | 11/20頁 |
| 文件大?。?/td> | 382K |
| 代理商： | MT4LC8M8P4TG-5 |
11
8 Meg x 8 FPM DRAM
D19_2.p65
–
Rev. 5/00
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2000, Micron Technology, Inc.
8 MEG x 8
FPM DRAM
READ-WRITE CYCLE
(LATE WRITE and READ-MODIFY-WRITE cycles)
VALID DOUT
VALID DIN
ROW
COLUMN
ROW
V
IL
CAS#
V
IL
ADDR
V
IL
V
IL
DQ
V
IOL
V
IL
RAS#
OPEN
OPEN
tOE
tOD
tCAC
tRAC
tAA
tCLZ
tDS
tDH
tAWD
tWP
tRWL
tCWL
tCWD
tRWD
tRCS
tASC
tCAH
tAR
tRAD
tRAH
tASR
tCRP
tRCD
tCAS
tRSH
tCSH
tRAS
tRWC
tRP
OE#
tOEH
WE#
DON
’
T CARE
UNDEFINED
t
OD
t
OE
t
OEH
t
RAC
t
RAD
t
RAH
t
RAS
t
RCD
t
RCS
t
RP
t
RSH
t
RWC
t
RWD
t
RWL
t
WP
3
13
13
3
15
15
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
13
15
50
60
13
8
50
18
0
30
13
131
73
13
8
15
10
60
20
0
40
15
155
85
15
10
10,000
10,000
TIMING PARAMETERS
-5
-6
SYMBOL
t
AA
t
AR
t
ASC
t
ASR
t
AWD
t
CAC
t
CAH
t
CAS
t
CLZ
t
CRP
t
CSH
t
CWD
t
CWL
t
DH
t
DS
MIN
MAX
25
MIN
MAX
30
UNITS
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
40
0
0
48
45
0
0
55
13
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8
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3
5
60
40
15
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0
13
3
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50
36
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8
0
10,000
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-5
-6
SYMBOL
MIN
MAX
MIN
MAX
UNITS
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT4LC8M8P4TG-6 | DRAM |
| MT4LDT464AG | 4 Meg x 64 Nonbuffered DRAM DIMMs(4 M x 64無緩沖動態(tài)RAM雙列直插存儲器模塊) |
| MT54V512H18A | 512K x 18 Synchronous Pipelined Burst SRAM(9Mb，流水線式，同步脈沖靜態(tài)存儲器) |
| MT54V512H18E | 512K x 18 Synchronous Pipelined Burst SRAM(9Mb，流水線式，同步脈沖靜態(tài)存儲器) |
| MT55L1MY18P | 16Mb: 1 Meg x 18, Flow-Through ZBT SRAM(16Mb流通式同步靜態(tài)存儲器) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MT4LC8M8P4TG-6 | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:DRAM |
| MT4LCM16E5DJ-6 | 制造商:. 功能描述: |
| MT4LD164AG-52B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 Burst EDO Page Mode DRAM Module |
| MT4LD164AG-60B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 Burst EDO Page Mode DRAM Module |
| MT4LD164AG-7 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 Fast Page Mode DRAM Module |
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