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參數(shù)資料
| 型號： | MT4LC8M8P4DJ-5 |
| 廠商： | Micron Technology, Inc. |
| 英文描述： | DRAM |
| 中文描述： | 內(nèi)存 |
| 文件頁數(shù)： | 16/20頁 |
| 文件大小： | 382K |
| 代理商： | MT4LC8M8P4DJ-5 |
16
8 Meg x 8 FPM DRAM
D19_2.p65
–
Rev. 5/00
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2000, Micron Technology, Inc.
8 MEG x 8
FPM DRAM
tRP
V
IL
RAS#
tRAS
OPEN
tCHR
tCSR
V
IL
V
OL
CAS#
DQ
tRP
tRAS
tRPC
tCSR
tRPC
tCHR
tCP
V
IL
tWRP
tWRH
tWRP
tWRH
WE#
DON
’
T CARE
UNDEFINED
NOTE 1
RAS#-ONLY REFRESH CYCLE
(OE# and WE# = DON
’
T CARE)
ROW
V
IL
CAS#
V
IL
ADDR
V
IL
RAS#
tRC
tRAS
tRP
tCRP
tASR
tRAH
ROW
OPEN
DQ
V
OL
tRPC
CBR REFRESH CYCLE
(Addresses and OE# = DON
’
T CARE)
-5
-6
SYMBOL
t
RAS
t
RC
t
RP
t
RPC
t
WRH
t
WRP
MIN
50
90
30
5
10
10
MAX
10,000
MIN
60
110
40
5
10
10
MAX
10,000
UNITS
ns
ns
ns
ns
ns
ns
TIMING PARAMETERS
-5
-6
SYMBOL
t
ASR
t
CHR
t
CP
t
CRP
t
CSR
t
RAH
MIN
0
15
8
5
5
8
MAX
MIN
0
15
10
5
5
10
MAX
UNITS
ns
ns
ns
ns
ns
ns
NOTE:
1. End of CBR REFRESH cycle.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT4LC8M8P4DJ-6 | DRAM |
| MT4LC8M8P4TG-5 | DRAM |
| MT4LC8M8P4TG-6 | DRAM |
| MT4LDT464AG | 4 Meg x 64 Nonbuffered DRAM DIMMs(4 M x 64無緩沖動態(tài)RAM雙列直插存儲器模塊) |
| MT54V512H18A | 512K x 18 Synchronous Pipelined Burst SRAM(9Mb，流水線式，同步脈沖靜態(tài)存儲器) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MT4LC8M8P4DJ-6 | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:DRAM |
| MT4LC8M8P4TG-5 | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:DRAM |
| MT4LC8M8P4TG-6 | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:DRAM |
| MT4LCM16E5DJ-6 | 制造商:. 功能描述: |
| MT4LD164AG-52B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 Burst EDO Page Mode DRAM Module |
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