參數(shù)資料
型號(hào)： MT4C4M4E9TGS
廠商： Micron Technology, Inc.
英文描述： 4 MEG x 4 EDO DRAM
中文描述： 4邁可× 4 EDO公司的DRAM
文件頁(yè)數(shù)： 11/20頁(yè)
文件大?。?/td> 360K
代理商： MT4C4M4E9TGS
11
4 Meg x 4 FPM DRAM
D49_5V.p65 – Rev. 5/00
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2000, Micron Technology, Inc.
4 MEG x 4
FPM DRAM
READ-WRITE CYCLE
(LATE WRITE and READ-MODIFY-WRITE cycles)
VALID DOUT
VALID DIN
ROW
COLUMN
ROW
V
IL
CAS#
V
IL
ADDR
V
IL
V
IL
DQ
V
IOL
V
IL
RAS#
OPEN
OPEN
tOE
tOD
tCAC
tRAC
tAA
tCLZ
tDS
tDH
tAWD
tWP
tRWL
tCWL
tCWD
tRWD
tRCS
tASC
tCAH
tAR
tRAD
tRAH
tASR
tCRP
tRCD
tCAS
tRSH
tCSH
tRAS
tRWC
tRP
OE#
tOEH
WE#
DON’T CARE
UNDEFINED
-5
-6
SYMBOL
t
OD
t
OE
t
OEH
t
RAC
t
RAD
t
RAH
t
RAS
t
RCD
t
RCS
t
RP
t
RSH
t
RWC
t
RWD
t
RWL
t
WP
MIN
0
MAX
12
12
MIN
0
MAX
15
15
UNITS
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
8
10
50
60
9
9
50
11
0
30
13
116
67
13
5
12
10
60
14
0
40
15
140
79
15
5
10,000
10,000
TIMING PARAMETERS
-5
-6
SYMBOL
t
AA
t
AR
t
ASC
t
ASR
t
AWD
t
CAC
t
CAH
t
CAS
t
CLZ
t
CRP
t
CSH
t
CWD
t
CWL
t
DH
t
DS
MIN
MAX
25
MIN
MAX
30
UNITS
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
38
0
0
42
45
0
0
49
13
15
8
8
0
5
38
28
8
8
0
10
10
0
5
45
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10
10
0
10,000
10,000
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MT4LDT832HG-5XS SMALL-OUTLINE DRAM MODULE
MT4LDT832HG-6XS SMALL-OUTLINE DRAM MODULE
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參數(shù)描述
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