參數(shù)資料
型號: MT4C4M4E9TGS
廠商: Micron Technology, Inc.
英文描述: 4 MEG x 4 EDO DRAM
中文描述: 4邁可× 4 EDO公司的DRAM
文件頁數(shù): 10/20頁
文件大小: 360K
代理商: MT4C4M4E9TGS
10
4 Meg x 4 FPM DRAM
D49_5V.p65 – Rev. 5/00
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2000, Micron Technology, Inc.
4 MEG x 4
FPM DRAM
EARLY WRITE CYCLE
DON’T CARE
UNDEFINED
V
IL
CAS#
VALID DATA
ROW
COLUMN
ROW
tDS
tDH
tWP
tWCH
tWCS
tWCR
tRWL
tCWL
tCAH
tASC
tRAH
tASR
tRAD
tAR
tCAS
tRSH
tCSH
tRCD
tCRP
tRAS
tRC
tRP
V
IL
ADDR
V
IL
WE#
V
IL
DQ
V
IOL
RAS#
-5
-6
SYMBOL
t
RAH
t
RAS
t
RC
t
RCD
t
RP
t
RSH
t
RWL
t
WCH
t
WCR
t
WCS
t
WP
MIN
9
50
84
11
30
13
13
8
38
0
5
MAX
MIN
10
60
104
14
40
15
15
10
45
0
5
MAX
UNITS
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
10,000
10,000
TIMING PARAMETERS
-5
-6
SYMBOL
t
AR
t
ASC
t
ASR
t
CAH
t
CAS
t
CRP
t
CSH
t
CWL
t
DH
t
DS
t
RAD
MIN
38
0
0
8
8
5
38
8
8
0
9
MAX
MIN
45
0
0
10
10
5
45
10
10
0
12
MAX
UNITS
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
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10,000
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