參數(shù)資料
型號(hào)： MT4C4M4E9DJS
廠商： Micron Technology, Inc.
英文描述： 4 MEG x 4 EDO DRAM
中文描述： 4邁可× 4 EDO公司的DRAM
文件頁(yè)數(shù)： 15/20頁(yè)
文件大小： 360K
代理商： MT4C4M4E9DJS
15
4 Meg x 4 FPM DRAM
D49_5V.p65 – Rev. 5/00
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2000, Micron Technology, Inc.
4 MEG x 4
FPM DRAM
FAST-PAGE-MODE READ EARLY WRITE CYCLE
(Pseudo READ-MODIFY-WRITE)
ROW
VALID
DATA
VALID DATA
OPEN
tCRP
tRCD
tCAS
tRSH
tRASP
tRP
tPC
tASC
tCAH
tAR
tASR
tRAD
tRAH
tWCS
tWP
tWCH
tRWL
tRCS
tDH
tDS
tCAC
tOFF
V
IL
CAS#
V
IL
ADDR
V
IL
RAS#
DQ
V
OL
WE#
V
IL
tCSH
COLUMN
tCP
tCP
tASC
tCAH
tCWL
tCLZ
tAA
RAC
DON’T CARE
UNDEFINED
t
NOTE 1
ROW
COLUMN
tCAS
NOTE:
1. Do not drive data prior to tristate.
-5
-6
SYMBOL
t
OFF
t
PC
t
RAC
t
RAD
t
RAH
t
RASP
t
RCD
t
RCS
t
RP
t
RSH
t
RWL
t
WCH
t
WCS
t
WP
MIN
0
20
MAX
12
MIN
0
25
MAX
15
UNITS
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
50
60
9
9
50
11
0
30
13
13
8
0
5
12
10
60
14
0
40
15
15
10
0
5
125,000
125,000
TIMING PARAMETERS
-5
-6
SYMBOL
t
AA
t
AR
t
ASC
t
ASR
t
CAC
t
CAH
t
CAS
t
CLZ
t
CP
t
CRP
t
CSH
t
CWL
t
DH
t
DS
MIN
MAX
25
MIN
MAX
30
UNITS
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
38
0
0
45
0
0
13
15
8
8
0
8
5
38
8
8
0
10
10
0
10
5
45
10
10
0
10,000
10,000
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MT4LC4M4E9TGS 4 MEG x 4 EDO DRAM
MT4C4M4E9TGS 4 MEG x 4 EDO DRAM
MT4LDT832HG-5XS SMALL-OUTLINE DRAM MODULE
MT4LDT832HG-6XS SMALL-OUTLINE DRAM MODULE
MT2LDT432H Silver Mica Capacitor; Capacitance:1200pF; Capacitance Tolerance: 5%; Series:CDV30; Voltage Rating:1500VDC; Capacitor Dielectric Material:Mica; Termination:Radial Leaded; Lead Pitch:11.1mm; Leaded Process Compatible:No RoHS Compliant: No
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參數(shù)描述
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MT4C5 制造商:EDAL 制造商全稱:EDAL 功能描述:SILICON FAST RECOVERY 3.0 AMP DIODES
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