- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄224506 > MT46V32M81AZ4-6T:G 32M X 4 DDR DRAM, 0.75 ns, PDSO66 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | MT46V32M81AZ4-6T:G |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 32M X 4 DDR DRAM, 0.75 ns, PDSO66 |
| 封裝： | 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP-66 |
| 文件頁數(shù)： | 29/82頁 |
| 文件大小： | 2866K |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁當(dāng)前第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁
128Mb: x4, x8, x16
DDR SDRAM
09005aef8074a655
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
128MBDDRx4x8x16_2.fm - Rev. J 7/04 EN
35
2000 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
Figure 26: WRITE to READ - Interrupting
NOTE:
1. DI b = data-in for column b, DO n = data-out for column n.
2. An interrupted burst of 4 is shown; two data elements are written.
3. One subsequent element of data-in is applied in the programmed order following DI b.
4. tWTR is referenced from the first positive CK edge after the last data-in pair.
5. A10 is LOW with the WRITE command (auto precharge is disabled).
6. DQS is required at T2 and T2n (nominal case) to register DM.
7. If the burst of 8 was used, DM and DQS would be required at T3 and T3n because the READ command would not mask
these two data elements.
tDQSS (NOM)
CK
CK#
COMMAND
WRITE
NOP
ADDRESS
Bank a,
Col b
Bank a,
Col n
READ
T0
T1
T2
T3
T2n
T4
T5
T5n
T1n
T6
T6n
tWTR
CL = 2
DQ
DQS
DM
DI
b
DO
n
tDQSS (MIN)
CL = 2
DQ
DQS
DM
DI
b
tDQSS (MAX)
CL = 2
DQ
DQS
DM
DI
b
DO
n
DO
n
DON’T CARE
TRANSITIONING DATA
tDQSS
T3n
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT47H128M8HV-187ELIT:E | 128M X 8 DDR DRAM, 0.35 ns, PBGA60 |
| MT47H128M8HQ-187ELAT:E | 128M X 8 DDR DRAM, 0.35 ns, PBGA60 |
| MT48LC2M32B1TG-7 | 2M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5.5 ns, PDSO86 |
| MT48LC32M4A2P-7ELIT:G | 32M X 4 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| MT55L256L18FT-12TR | 256K X 18 ZBT SRAM, 9 ns, PQFP100 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MT46V32M82ZZ5-75 ES | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:32MX8 SDRAM DDR PLASTIC PBF FBGA 2.5V - Trays |
| MT46V32M82ZZ5-75EZ | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:32MX8 DDR SDRAM PLASTIC 2.5V - Trays |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。