參數(shù)資料
型號： MRF9060LR1
廠商： 飛思卡爾半導體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors N−Channel Enhancement−Mode Lateral MOSFETs
文件頁數(shù)： 4/12頁
文件大?。?/td> 238K
代理商： MRF9060LR1
5
4
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF9060LR1 MRF9060LSR1
Figure 1. 945 MHz Broadband Test Circuit Schematic
Z10
Z11
Z12
Z13
Z14
Z15
Z16
Z17
PCB
0.360
″
x 0.270
″
Microstrip
0.060
″
x 0.270
″
Microstrip
0.110
″
x 0.060
″
Microstrip
0.330
″
x 0.060
″
Microstrip
0.230
″
x 0.060
″
Microstrip
0.740
″
x 0.060
″
Microstrip
0.130
″
x 0.060
″
Microstrip
0.340
″
x 0.060
″
Microstrip
Taconic RF
35
0300, 30 mil,
ε
r
= 3.55
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
Z9
0.240
″
x 0.060
″
Microstrip
0.240
″
x 0.060
″
Microstrip
0.500
″
x 0.100
″
Microstrip
0.180
″
x 0.270
″
Microstrip
0.350
″
x 0.270
″
Microstrip
0.270
″
x 0.520 x 0.140
″
Taper
0.170
″
x 0.520
″
Microstrip
0.410
″
x 0.520
″
Microstrip
0.060
″
x 0.520
″
Microstrip
Table 5. 945 MHz Broadband Test Circuit Component Designations and Values
Part
Description
Part Number
Manufacturer
B1
B2
C1, C7, C13, C14
C2, C3, C11
C4, C5, C8, C9
C6, C15, C16
C10
C12
Short Ferrite Bead
Long Ferrite Bead
47 pF Chip Capacitors
0.8
8.0 Gigatrim Variable Capacitors
10 pF Chip Capacitors
10 F, 35 V Tantalum Chip Capacitor
3.0 pF Chip Capacitor
0.5 pF Chip Capacitor (MRF9060)
0.7 pF Chip Capacitor (MRF9060S)
220 F Electrolytic Chip Capacitor
12.5 nH Inductors
N
Type Panel Mount, Stripline
10 mil Brass Wear Blocks
95F786
95F787
100B470JP 500X
44F3360
100B100JP 500X
93F2975
100B3R0JP 500X
100B0R5BP 500X
100B0R7BP 500X
14F185
A04T
5
3052
1648
10
Newark
Newark
ATC
Newark
ATC
Newark
ATC
ATC
ATC
Newark
Coilcraft
Avnet
C17
L1, L2
N1, N2
WB1, WB2
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PDF描述
MRF9080LR3 RF Power Field Effect Transistors(N−Channel Enhancement−Mode Lateral MOSFETs)
MRF9200LR3 N−Channel Enhancement−Mode Lateral MOSFETs
MRF9200LSR3 N−Channel Enhancement−Mode Lateral MOSFETs
MRF9582NT1 Silicon Lateral FET, N -Channel Enhancement-Mode MOSFET
MRFE6P3300HR3 RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
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參數(shù)描述
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MRF9060LR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 60W 1GHZ RFPWR FET NI360 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF9060LSR1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 60W 945MHZ NI360S LOW AU RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF9060LSR1_08 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
MRF9060LSR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 60W RF PWR FET NI360LS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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