參數(shù)資料
型號： MRF9060LR1
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors N−Channel Enhancement−Mode Lateral MOSFETs
文件頁數(shù)： 2/12頁
文件大小： 238K
代理商： MRF9060LR1
5
2
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF9060LR1 MRF9060LSR1
Table 4. Electrical Characteristics
(T
C
= 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Off Characteristics
Zero Gate Voltage Drain Leakage Current
(V
DS
= 65 Vdc, V
GS
= 0 Vdc)
I
DSS
—
—
10
μ
Adc
Zero Gate Voltage Drain Leakage Current
(V
DS
= 26 Vdc, V
GS
= 0 Vdc)
I
DSS
—
—
1
μ
Adc
Gate
Source Leakage Current
(V
GS
= 5 Vdc, V
DS
= 0 Vdc)
I
GSS
—
—
1
μ
Adc
On Characteristics
Gate Threshold Voltage
(V
DS
= 10 Vdc, I
D
= 200
μ
Adc)
V
GS(th)
2
2.9
4
Vdc
Gate Quiescent Voltage
(V
DS
= 26 Vdc, I
D
= 450 mAdc)
V
GS(Q)
—
3.7
—
Vdc
Drain
Source On
Voltage
(V
GS
= 10 Vdc, I
D
= 1.3 Adc)
V
DS(on)
—
0.17
0.4
Vdc
Forward Transconductance
(V
DS
= 10 Vdc, I
D
= 4 Adc)
g
fs
—
5.3
—
S
Dynamic Characteristics
Input Capacitance
(V
DS
= 26 Vdc
±
30 mV(rms)ac @ 1 MHz, V
GS
= 0 Vdc)
C
iss
—
98
—
pF
Output Capacitance
(V
DS
= 26 Vdc
±
30 mV(rms)ac @ 1 MHz, V
GS
= 0 Vdc)
C
oss
—
50
—
pF
Reverse Transfer Capacitance
(V
DS
= 26 Vdc
±
30 mV(rms)ac @ 1 MHz, V
GS
= 0 Vdc)
C
rss
—
2
—
pF
(continued)
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PDF描述
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參數(shù)描述
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