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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MRF7S21170HSR3 |
| 廠商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類(lèi)： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, NI-880S, CASE 465C-02, 2 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 14/17頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 797K |
| 代理商： | MRF7S21170HSR3 |
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6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF7S21170HR3 MRF7S21170HSR3
TYPICAL CHARACTERISTICS
G
ps
,P
OWER
GAIN
(d
B)
2220
2060
IRL
Gps
PARC
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 3. Output Peak--to--Average Ratio Compression (PARC)
Broadband Performance @ Pout = 50 Watts Avg.
VDD =28 Vdc,Pout =50 W (Avg.),IDQ = 1400 mA
Single--Carrier W--CDMA, 3.84 MHz Channel Bandwidth
Input Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01% Probability(CCDF)
2160
2120
2100
9
17
16
15
14
13
12
11
10
--3
36
34
32
30
28
0
--1
--2
ηD
IR
L,
IN
PU
T
RETU
RN
LO
SS
(d
B)
PA
RC
(d
B)
--25
--5
--10
--15
--20
η
D,
DRA
IN
EF
FI
CIE
NCY
(%
)
2140
2080
2200
2180
G
ps
,P
OWER
GAIN
(d
B)
2220
2060
IRL
Gps
PARC
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 4. Output Peak--to--Average Ratio Compression (PARC)
Broadband Performance @ Pout = 84 Watts Avg.
2160
2120
2100
9
17
16
15
14
13
12
11
10
--5
44
42
40
38
36
--2
--3
--4
ηD
IR
L,
IN
PU
T
RETU
RN
LO
SS
(d
B)
PA
RC
(d
B)
--25
--5
--10
--15
--20
η
D,
DRA
IN
EF
FI
CIE
NCY
(%
)
2140
2080
2200
2180
Figure 5. Two--Tone Power Gain versus
Output Power
100
13
18
1
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
VDD = 28 Vdc, f1 = 2135 MHz, f2 = 2145 MHz
Two--Tone Measurements, 10 MHz Tone Spacing
16
15
14
10
400
G
ps
,P
OWER
GAIN
(d
B)
17
Figure 6. Third Order Intermodulation Distortion
versus Output Power
--10
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
10
--20
--30
--40
100
--60
--50
VDD = 28 Vdc, f1 = 2135 MHz, f2 = 2145 MHz
Two--Tone Measurements, 10 MHz Tone Spacing
1
INT
ERM
O
DULA
TIO
N
DIST
O
RT
ION
(dBc
)
IM
D,
TH
IRD
O
RDE
R
400
IDQ = 2100 mA
1750 mA
700 mA
1050 mA
1400 mA
IDQ = 700 mA
1750 mA
1050 mA
1400 mA
2100 mA
VDD =28 Vdc,Pout =84 W (Avg.),IDQ = 1400 mA
Single--Carrier W--CDMA, 3.84 MHz Channel
Bandwidth, Input Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01%
Probability (CCDF)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| MRF7S21210HR3 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV7 2.1GHZ 63W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF7S21210HR5 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV7 2.1GHZ 63W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF7S21210HSR3 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV7 2.1GHZ WCDMA NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF7S21210HSR5 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV7 2.1GHZ WCDMA NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
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