- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網 > PDF目錄98039 > MRF6V12250HSR3 (FREESCALE SEMICONDUCTOR INC) L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | MRF6V12250HSR3 |
| 廠商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, CASE 465A-06, NI-780S, 2 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/13頁 |
| 文件大小： | 1274K |
| 代理商： | MRF6V12250HSR3 |
10
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6V12250HR3 MRF6V12250HSR3
Zo =10
Zload
Zsource
f = 1215 MHz
f = 960 MHz
f = 1215 MHz
VDD =50 Vdc,IDQ = 100 mA, Pout = 250 W Peak
f
MHz
Zsource
Zload
960
4.00 -- j4.14
3.96 -- j1.70
970
4.05 -- j3.99
3.90 -- j1.67
980
4.16 -- j3.86
3.83 -- j1.66
990
4.33 -- j3.71
3.75 -- j1.66
1000
4.49 -- j3.57
3.70 -- j1.65
1010
4.61 -- j3.43
3.68 -- j1.62
1020
4.66 -- j3.33
3.69 -- j1.59
1030
4.68 -- j3.26
3.69 -- j1.54
1040
4.72 -- j3.20
3.67 -- j1.52
1050
4.83 -- j3.13
3.59 -- j1.53
1060
5.02 -- j3.06
3.48 -- j1.53
1070
5.24 -- j2.99
3.38 -- j1.53
1080
5.42 -- j2.96
3.32 -- j1.51
1090
5.51 -- j2.99
3.30 -- j1.47
VDD =50 Vdc,IDQ = 100 mA, Pout = 250 W Peak
f
MHz
Zsource
Zload
1100
5.49 -- j3.04
3.32 -- j1.43
1110
5.47 -- j3.07
3.31 -- j1.42
1120
5.52 -- j3.09
3.24 -- j1.40
1130
5.68 -- j3.13
3.12 -- j1.39
1140
5.89 -- j3.20
2.99 -- j1.36
1150
6.06 -- j3.32
2.88 -- j1.30
1160
6.09 -- j3.47
2.83 -- j1.23
1170
5.98 -- j3.60
2.83 -- j1.19
1180
5.85 -- j3.69
2.80 -- j1.15
1190
5.78 -- j3.76
2.75 -- j1.11
1200
5.81 -- j3.87
2.65 -- j1.07
1210
5.89 -- j4.02
2.52 -- j1.01
1215
5.91 -- j4.11
2.47 -- j0.97
Zsource = Test circuit impedance as measured from gate to ground.
Zload
= Test circuit impedance as measured from drain to ground.
Figure 16. Series Equivalent Source and Load Impedance — 960--1215 MHz
Z source
Z load
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF6V12500HR3 | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF6V12500HR5 | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF6V12500HSR5 | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF6V12500HSR3 | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF6V13250HR3 | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MRF6V12250HSR5 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 VHV6 250W 50V NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF6V12500H | 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors |
| MRF6V12500HR3 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 VHV6 500W 50V NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF6V12500HR3_10 | 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs |
| MRF6V12500HR5 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 VHV6 500W 50V NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。