參數(shù)資料
型號： MRF6S20010NR1
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270AA
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 1265-09, 2 PIN
文件頁數(shù)： 8/27頁
文件大?。?/td> 687K
代理商： MRF6S20010NR1
16
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6S20010NR1 MRF6S20010GNR1
GSM EDGE TYPICAL CHARACTERISTICS — 1805-1880 MHz
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
IRL,
INPUT
RETURN
LOSS
(dB)
f, FREQUENCY (MHz)
13
1800
10
Gps
VDD = 28 Vdc
IDQ = 130 mA
17
50
16
40
15
30
14
20
1900
IRL
Figure 25. Power Gain, Input Return Loss and Drain
Efficiency versus Frequency @ Pout = 4 Watts
30
0
10
20
40
ηD
η
D
,DRAIN
EFFICIENCY
(%)
1810 1820 1830 1840 1850 1860 1870 1880 1890
Figure 26. Error Vector Magnitude and Drain
Efficiency versus Output Power
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
10
2
6
VDD = 28 Vdc
IDQ = 130 mA
f = 1840 MHz
4
3
0
1
0.1
1
20
60
40
30
0
10
EVM
ηD
η
D
,DRAIN
EFFICIENCY
(%)
EVM,
ERROR
VECT
OR
MAGNITUDE
(%
ms)
50
5
10
80
50
0.1
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
55
60
65
70
75
1
VDD = 28 Vdc
IDQ = 130 mA
f = 1840 MHz
Figure 27. Spectral Regrowth at 400 kHz and
600 kHz versus Output Power
SPECTRAL
REGROWTH
(dBc)
SR @ 400 kHz
SR @ 600 kHz
Figure 28. EDGE Spectrum
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
200 kHz
Span 2 MHz
Center 1.96 GHz
110
400 kHz
600 kHz
400 kHz
600 kHz
(dB)
Reference Power
VBW = 30 kHz
Sweep Time = 70 ms
RBW = 30 kHz
GSM EDGE TEST SIGNAL
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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MRF6S21060NBR1 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272
MRF6S21100HR3 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
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參數(shù)描述
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