- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄98039 > MRF6S20010NR1 (FREESCALE SEMICONDUCTOR INC) S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270AA PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MRF6S20010NR1 |
| 廠商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270AA |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 1265-09, 2 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 14/27頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 687K |
| 代理商： | MRF6S20010NR1 |
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)當(dāng)前第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)第20頁(yè)第21頁(yè)第22頁(yè)第23頁(yè)第24頁(yè)第25頁(yè)第26頁(yè)第27頁(yè)
MRF6S20010NR1 MRF6S20010GNR1
21
RF Device Data
Freescale Semiconductor
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF6S21050LSR3 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF6S21050LR3 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF6S21060NR1 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270 |
| MRF6S21060NBR1 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272 |
| MRF6S21100HR3 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MRF6S20010NR1_09 | 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
| MRF6S21050LR3 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6 W-CDMA 11.5W NI400L RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF6S21050LR3_08 | 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
| MRF6S21050LR5 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6 W-CDMA 11.5W NI400L RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF6S21050LS | 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述: |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。