參數(shù)資料
型號(hào)： MRF6S20010NR1
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270AA
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 1265-09, 2 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 26/27頁(yè)
文件大小： 687K
代理商： MRF6S20010NR1
8
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6S20010NR1 MRF6S20010GNR1
W-CDMA TYPICAL CHARACTERISTICS — 2110-2170 MHz
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
IRL,
INPUT
RETURN
LOSS
(dB)
IM3
(dBc),
ACPR
(dBc)
18
10
12
16
2220
2060
IRL
Gps
ACPR
IM3
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 13. 2-Carrier W-CDMA Broadband Performance
@ Pout = 1 Watt Avg.
2200
2180
2160
2140
2120
2100
2080
16
55
18
17
16
15
45
47
49
η
D
,DRAIN
EFFICIENCY
(%)
15.8
15.6
15.4
15.2
15
14.8
14.6
51
14
ηD
VDD = 28 Vdc, Pout = 1 W (Avg.), IDQ = 130 mA
2Carrier WCDMA, 10 MHz Carrier Spacing
3.84 MHz Channel Bandwidth, PAR = 8.5 dB
@ 0.01% Probability (CCDF)
14.4
14.2
14
53
IM3
(dBc),
ACPR
(dBc)
Figure 14. 2-Carrier W-CDMA ACPR, IM3, Power Gain
and Drain Efficiency versus Output Power
0
55
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
49
20
30
35
28
35
14
120
40
IM3
Gps
η
D
,DRAIN
EFFICIENCY
(%),
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
42
45
ηD
ACPR
0.1
25
21
TC = 25_C
VDD = 28 Vdc, IDQ = 130 mA
f1 = 2165 MHz, f2 = 2175 MHz
2Carrier WCDMA, 10 MHz Carrier
Spacing, 3.84 MHz Channel
Bandwidth, PAR = 8.5 dB
@ 0.01% Probability (CCDF)
7
50
10
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF6S21050LSR3 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF6S21050LR3 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF6S21060NR1 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270
MRF6S21060NBR1 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272
MRF6S21100HR3 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRF6S20010NR1_09 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6S21050LR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6 W-CDMA 11.5W NI400L RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF6S21050LR3_08 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6S21050LR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6 W-CDMA 11.5W NI400L RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF6S21050LS 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*