參數(shù)資料
型號： MRF6S20010NR1
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270AA
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 1265-09, 2 PIN
文件頁數(shù)： 4/27頁
文件大?。?/td> 687K
代理商： MRF6S20010NR1
12
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6S20010NR1 MRF6S20010GNR1
N-CDMA TYPICAL CHARACTERISTICS — 1930-1990 MHz
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
IRL,
INPUT
RETURN
LOSS
(dB)
ACPR
(dBc)
20
8
11
17
2000
1900
Gps
ACPR
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 19. Single-Carrier N-CDMA Broadband Performance
@ Pout = 1 Watt Avg.
1970
1960
1950
1940
1930
1920
1910
15.9
61
19
18
17
16
59.4
59.8
η
D
,DRAIN
EFFICIENCY
(%)
15.8
15.7
15.6
15.5
15.3
60.2
14
14.9
ηD
VDD = 28 Vdc, Pout = 1 W (Avg.), IDQ = 500 mA
NCDMA IS95 (Pilot, Sync, Paging, Traffic
Codes 8 Through 13)
15.1
15
60.6
15.4
15.2
15
1980 1990
IRL
59
ACPR
(dBc)
Figure 20. Single-Carrier N-CDMA ACPR and Drain
Efficiency versus Output Power
0
65
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
50
40
50
30
55
20
1
η
D
,DRAIN
EFFICIENCY
(%)
40
ηD
ACPR
0.1
45
VDD = 28 Vdc, IDQ = 130 mA
f = 1960 MHz, NCDMA IS95
(Pilot, Sync, Paging, Traffic Codes
8 Through 13)
10
60
10
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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MRF6S21060NBR1 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272
MRF6S21100HR3 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
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參數(shù)描述
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