參數(shù)資料
型號(hào)： MRF5S9070NR1
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： RF Power Field Effect Transistors
中文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270AA
封裝： PLASTIC, CASE 1265-08, 2 PIN
文件頁數(shù)： 6/12頁
文件大?。?/td> 450K
代理商： MRF5S9070NR1
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF5S9070NR1 MRF5S9070MR1
TYPICAL CHARACTERISTICS
900
8
20
860
70
45
IRL
G
ps
ACPR
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 3. Class AB Broadband Performance
Gp
V
DD
= 26 Vdc, P
out
= 14 W (Avg.), I
DQ
= 600 mA
SingleCarrier NCDMA, IS95
(Pilot, Sync, Paging, Traffic Codes 8 through 13)
30
15
18
21
24
I
I
A
27
865
870
875
880
885
890
895
19
18
40
35
17
16
30
25
15
14
40
13
12
45
50
55
11
10
60
9
65
12
100
15
20
1
I
DQ
= 900 mA
300 mA
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
Figure 4. Two-Tone Power Gain versus
Output Power
Gp
V
DD
= 26 Vdc
f1 = 880 MHz, f2 = 880.1 MHz
TwoTone Measurements
100 kHz Tone Spacing
450 mA
600 mA
750 mA
10
19
18
17
16
100
60
20
1
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
Figure 5. Third Order Intermodulation Distortion
versus Output Power
I
I
I
DQ
= 900 mA
300 mA
V
DD
= 26 Vdc
f1 = 880 MHz, f2 = 880.1 MHz
TwoTone Measurements
100 kHz Tone Spacing
450 mA
600 mA
750 mA
25
30
35
40
45
50
55
10
100
8
20
1
60
60
G
ps
IMD
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
Figure 6. Power Gain, Drain Efficiency and
IMD versus Output Power
Gp
I
I
V
DD
= 26 Vdc, I
DQ
= 600 mA
f1 = 880 MHz, f2 = 880.1 MHz
TwoTone Measurements,
100 kHz Tone Spacing
10
18
40
16
20
14
0
12
20
10
40
100
90
10
1
7th Order
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
Figure 7. Intermodulation Distortion Products
versus Output Power
I
I
V
DD
= 26 Vdc, I
DQ
= 600 mA
f1 = 880 MHz, f2 = 880.1 MHz
TwoTone Measurements
Center Frequency = 880 MHz
100 kHz Tone Spacing
5th Order
3rd Order
10
20
30
40
50
60
70
80
ALT
η
D
,
E
η
D
η
D
η
D
,
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