參數(shù)資料
型號(hào)： MRF5S9070NR1
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： RF Power Field Effect Transistors
中文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270AA
封裝： PLASTIC, CASE 1265-08, 2 PIN
文件頁數(shù)： 3/12頁
文件大?。?/td> 450K
代理商： MRF5S9070NR1
MRF5S9070NR1 MRF5S9070MR1
3
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Table 5. Electrical Characteristics
(T
C
= 25
°
C unless otherwise noted)
(continued)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Typical GSM CW Performances
(In Freescale GSM Test Fixture Optimized for 865-895 MHz, 50
ο
hm system) V
DD
= 26 Vdc,
I
DQ
= 400 mA, P
out
= 60 W, f = 865-895 MHz
Power Gain
G
ps
—
16.4
—
dB
Drain Efficiency
η
D
—
59
—
%
Input Return Loss
IRL
—
-15
—
dB
P
out
@ 1 dB Compression Point
(f = 880 MHz)
P1dB
—
71
—
W
Typical GSM EDGE Performances
(In Freescale GSM EDGE Test Fixture Optimized for 865-895 MHz, 50
ο
hm system)
V
DD
= 26 Vdc, I
DQ
= 400 mA, P
out
= 25 W Avg., f = 865-895 MHz, GSM EDGE Signal
Power Gain
G
ps
—
17
—
dB
Drain Efficiency
η
D
—
41
—
%
Error Vector Magnitude
EVM
—
1.35
—
%
Spectral Regrowth at 400 kHz Offset
SR1
—
-66
—
dBc
Spectral Regrowth at 600 kHz Offset
SR2
—
-81
—
dBc
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