參數(shù)資料
型號(hào)： MMDF2P02HD
廠商： Motorola, Inc.
英文描述： DUAL TMOS POWER FET 2.0 AMPERES 20 VOLTS
中文描述： 偶的TMOS功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管2.0安培20伏特
文件頁數(shù)： 3/10頁
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代理商： MMDF2P02HD
3
Motorola TMOS Power MOSFET Transistor Device Data
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
R
VGS, GATE–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
R
R
0
0
2
4
VDS, DRAIN–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On–Region Characteristics
ID
ID
VGS, GATE–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0
2
4
10
0.6
0.04
Figure 3. On–Resistance versus
Gate–To–Source Voltage
ID, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On–Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
1
100
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
Figure 5. On–Resistance Variation with
Temperature
VDS, DRAIN–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain–To–Source Leakage Current
versus Voltage
VDS
≥
10 V
100
°
C
25
°
C
TJ = –55
°
C
0.4
6
8
–50
0
50
100
150
3
1
1
2
4
3
1.0
1.5
2.0
3.5
0.2
0.20
0.08
0
1.0
2.0
3.0
4.0
0.6
10
0
5
10
15
VGS = 10 V
ID = 2 A
1.4
20
0
0.16
0.12
2.5
3.0
ID = 1 A
TJ = 25
°
C
TJ = 25
°
C
0.5
1.5
2.5
3.5
10 V
VGS = 4.5 V
(
– 25
25
75
125
0.8
1.6
1.2
VGS = 0 V
ID
TJ = 125
°
C
100
°
C
1.0
3.7 V
3.1 V
2.7 V
2.5 V
2.9 V
3.3 V
3.5 V
4.5 V
3.9 V
TJ = 25
°
C
VGS = 10 V
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.4
1
1.2
1.6
1.8
2
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