參數(shù)資料
型號(hào)： MMDF2P02E
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： JFETs
英文描述： DUAL TMOS MOSFET 2.5 AMPERES 25 VOLTS
中文描述： 2 A, 20 V, 0.4 ohm, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： CASE 751-05, SOIC-8
文件頁(yè)數(shù)： 3/10頁(yè)
文件大?。?/td> 274K
代理商： MMDF2P02E
3
Motorola TMOS Power MOSFET Transistor Device Data
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Figure 1. On–Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
Figure 3. On–Resistance versus
Gate–to–Source Voltage
Figure 4. On–Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
Figure 5. On–Resistance Variation with
Temperature
Figure 6. Drain–to–Source Leakage Current
versus Voltage
3.5 V
3.3 V
10 V
R
R
R
0
0
0.4
VDS, DRAIN–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
0.8
1.2
1.6
2
0
2
3
ID
ID
VGS, GATE–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
3
4
5
10
0.3
0.4
0.6
0.1
VGS, GATE–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
ID, DRAIN CURRENT (AMPS)
1
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
VDS, DRAIN–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
0.2
6
8
–50
0
50
100
150
4
1
0
TJ = 25
°
C
VGS = 10
2
3
4
1
2.5
3
3.5
4
4.5
0.1
0.4
0.5
0.6
0.3
0.2
0
0.5
1
1.5
2
0
I
100
10
0
4
8
12
20
0.5
1.0
1.5
2.0
VGS = 10 V
ID = 2 A
125
75
25
–25
VDS
≥
10 V
25
°
C
100
°
C
TJ = –55
°
C
VGS = 4.5
TJ = 25
°
C
9
7
0.5
ID = 1 A
TJ = 25
°
C
16
3.7 V
3.9 V
4.1 V
4.3 V
4.5 V
5 V
4.7 V
7 V
VGS = 0 V
TJ = 125
°
C
100
°
C
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