參數(shù)資料
型號(hào)： MMBT918D87Z
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁(yè)數(shù)： 9/15頁(yè)
文件大?。?/td> 748K
代理商： MMBT918D87Z
Typical Characteristics
Typical Pulsed Current Gain
vs Collector Current
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
20
30
40
50
60
70
80
90
100
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
h
-TY
PI
C
A
L
PU
L
SED
C
U
R
E
N
T
G
A
IN
C
FE
125 °C
25 °C
- 40 °C
V
= 5V
CE
Collector-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
0.1
1
10
30
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
I
- COLLECTOR CURRENT (mA)
V
-
C
O
L
EC
TO
R
-EM
ITTE
R
VO
L
T
A
G
E
(V
)
CE
S
A
T
C
β = 10
25 °C
- 40 °C
125 °C
Base-Emitter ON Voltage vs
Collector Current
0.1
1
10
20
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
I
- COLLECTOR CURRENT (mA)
V
-
B
A
SE
-E
M
IT
T
ER
O
N
VO
L
T
A
G
E
(V
)
BE
(O
N
)
C
V
= 5V
CE
25 °C
- 40 °C
125 °C
Base-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
0.1
1
10
30
0.4
0.6
0.8
1
I
- COLLECTOR CURRENT (mA)
V
-
BASE
-EM
IT
TE
R
VOL
T
AG
E
(V
)
B
ESA
T
25 °C
C
β = 10
- 40 °C
125 °C
Collector-Cutoff Current
vs Ambient Temperature
25
50
75
100
125
150
0.1
1
5
T - AMBIENTTEMPERATURE ( C)
I
-
CO
L
EC
TO
R
CU
R
E
N
T
(
n
A
)
A
V
= 20V
CB
O
°
PN918
/
MMBT918
Input and Output Capacitance
vs Reverse Voltage
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
V
- COLLECTOR VOLTAGE (V)
CA
P
A
CI
T
A
N
C
E
(
p
F)
Cob
Cib
f = 1.0 MHz
CE
NPN RF Transistor
(continued)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBT918LT3 UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBTA13LT3 300 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBTA20LT3 100 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBTA56D87Z 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MPSA56D74Z 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MMBT918LT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 50mA 15V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT918LT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 50mA 15V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTA 06 LT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT AF TRANS GP BJT NPN 80V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTA 14 LT1 功能描述:達(dá)林頓晶體管 AF Darlington NPN 30V 0.3A RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MMBTA 42 LT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT AF GP BJT NPN 300V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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