參數(shù)資料
型號(hào)： MMBTA13LT3
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 300 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
封裝： PLASTIC, CASE 318-08, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/25頁(yè)
文件大小： 381K
代理商： MMBTA13LT3
2–395
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
Darlington Amplifier Transistors
NPN Silicon
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Collector – Emitter Voltage
VCES
30
Vdc
Collector – Base Voltage
VCBO
30
Vdc
Emitter – Base Voltage
VEBO
10
Vdc
Collector Current — Continuous
IC
300
mAdc
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Total Device Dissipation FR– 5 Board(1)
TA = 25°C
Derate above 25
°C
PD
225
1.8
mW
mW/
°C
Thermal Resistance Junction to Ambient
RqJA
556
°C/W
Total Device Dissipation
Alumina Substrate,(2) TA = 25°C
Derate above 25
°C
PD
300
2.4
mW
mW/
°C
Thermal Resistance Junction to Ambient
RqJA
417
°C/W
Junction and Storage Temperature
TJ, Tstg
– 55 to +150
°C
DEVICE MARKING
MMBTA13LT1 = 1M; MMBTA14LT1 = 1N
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector – Emitter Breakdown Voltage
(IC = 100 mAdc, VBE = 0)
V(BR)CES
30
—
Vdc
Collector Cutoff Current
(VCB = 30 Vdc, IE = 0)
ICBO
—
100
nAdc
Emitter Cutoff Current
(VEB = 10 Vdc, IC = 0)
IEBO
—
100
nAdc
1. FR– 5 = 1.0
0.75 0.062 in.
2. Alumina = 0.4
0.3 0.024 in. 99.5% alumina.
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.
MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
MMBTA13LT1
MMBTA14LT1
*Motorola Preferred Device
1
2
3
CASE 318 – 08, STYLE 6
SOT– 23 (TO – 236AB)
*
COLLECTOR 3
BASE
1
EMITTER 2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBTA20LT3 100 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBTA56D87Z 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MPSA56D74Z 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSA56D27Z 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSA56D26Z 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
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參數(shù)描述
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MMBTA13-T 功能描述:達(dá)林頓晶體管 300mA 30V RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MMBTA13-TP 功能描述:達(dá)林頓晶體管 300mA 30V RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MMBTA14 功能描述:達(dá)林頓晶體管 NPN Transistor Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MMBTA14 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Small Signal Bipolar Transistor
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