參數(shù)資料
型號： MMBT918D87Z
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁數(shù)： 8/15頁
文件大小： 748K
代理商： MMBT918D87Z
NPN RF Transistor
(continued)
Electrical Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Max
Units
OFF CHARACTERISTICS
ON CHARACTERISTICS
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS
fT
Current Gain - Bandwidth Product
IC = 4.0 mA, VCE = 10 V,
f = 100 MHz
600
MHz
Cobo
Output Capacitance
VCB = 10 V, IE = 0, f = 1.0 MHz
VCB = 0, IE = 0, f = 1.0 MHz
1.7
3.0
pF
Cibo
Input Capacitance
VBE = 0.5 V, IC = 0, f = 1.0 MHz
2.0
pF
NF
Noise Figure
IC = 1.0 mA, VCE = 6.0 V,
RG = 400
, f = 60 MHz
6.0
dB
FUNCTIONAL TEST
Gpe
Amplifier Power Gain
VCB = 12 V, IC = 6.0 mA,
f = 200 MHz
15
dB
PO
Power Output
VCB = 15 V, IC = 8.0 mA,
f = 500 MHz
30
mW
η
Collector Efficiency
VCB = 15 V, IC = 8.0 mA,
f = 500 MHz
25
%
*Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 s, Duty Cycle ≤ 2.0%
VCEO(sus)
Collector-Emitter Sustaining Voltage*
IC = 3.0 mA, IB = 0
15
V
V(BR)CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
IC = 1.0
A, IE = 0
30
V
V(BR)EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
IE = 10
A, I
C = 0
3.0
V
ICBO
Collector Cutoff Current
VCB = 15 V, IE = 0
VCB = 15 V, TA = 150
°C
0.01
1.0
A
hFE
DC Current Gain
IC = 3.0 mA, VCE = 1.0 V
20
VCE(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
IC = 10 mA, IB = 1.0 mA
0.4
V
VBE(sat)
Base-Emitter Saturation Voltage
IC = 10 mA, IB = 1.0 mA
1.0
V
PN918
/
MMBT918
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBT918LT3 UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBTA13LT3 300 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBTA20LT3 100 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBTA56D87Z 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MPSA56D74Z 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
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參數(shù)描述
MMBT918LT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 50mA 15V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT918LT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 50mA 15V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTA 06 LT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT AF TRANS GP BJT NPN 80V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTA 14 LT1 功能描述:達(dá)林頓晶體管 AF Darlington NPN 30V 0.3A RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MMBTA 42 LT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT AF GP BJT NPN 300V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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