參數(shù)資料
型號(hào)： MMBTA20LT3
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 100 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
封裝： PLASTIC, CASE 318-08, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/26頁
文件大?。?/td> 485K
代理商： MMBTA20LT3
2–400
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
General Purpose Amplifier
NPN Silicon
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Collector – Emitter Voltage
VCEO
40
Vdc
Emitter – Base Voltage
VEBO
4.0
Vdc
Collector Current — Continuous
IC
100
mAdc
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Total Device Dissipation FR– 5 Board(1)
TA = 25°C
Derate above 25
°C
PD
225
1.8
mW
mW/
°C
Thermal Resistance Junction to Ambient
RqJA
556
°C/W
Total Device Dissipation
Alumina Substrate,(2) TA = 25°C
Derate above 25
°C
PD
300
2.4
mW
mW/
°C
Thermal Resistance Junction to Ambient
RqJA
417
°C/W
Junction and Storage Temperature
TJ, Tstg
– 55 to +150
°C
DEVICE MARKING
MMBTA20LT1 = 1C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector – Emitter Breakdown Voltage
(IC = 1.0 mAdc, IB = 0)
V(BR)CEO
40
—
Vdc
Emitter – Base Breakdown Voltage
(IE = 100 mAdc, IC = 0)
V(BR)EBO
4.0
—
Vdc
Collector Cutoff Current
(VCB = 30 Vdc, IE = 0)
ICBO
—
100
nAdc
1. FR– 5 = 1.0
0.75 0.062 in.
2. Alumina = 0.4
0.3 0.024 in. 99.5% alumina.
MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
MMBTA20LT1
1
2
3
CASE 318 – 08, STYLE 6
SOT– 23 (TO – 236AB)
COLLECTOR
3
1
BASE
2
EMITTER
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PDF描述
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