參數(shù)資料
型號： MMBT918D87Z
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁數(shù)： 11/15頁
文件大?。?/td> 748K
代理商： MMBT918D87Z
Common Emitter Y Parameters vs. Frequency
Input Admittance vs Collector
Current-Output Short Circuit
0246
8
10
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
Y
-
IN
PUT
ADM
IT
T
A
N
C
E
(
m
h
o
)
f = 10.7 MHz
ie
V
= 10V
CE
C
b ie
g ie
Input Admittance vs Collector
Current-Output Short Circuit
0246
8
10
0
2
4
6
8
10
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
Y
-
IN
PU
T
ADM
IT
T
A
NCE
(
m
h
o
)
f = 100 MHz
ie
C
V
= 10V
CE
V
= 5V
CE
V
= 5V
CE
V
= 10V
CE
Input Admittance vs
Frequency-Output Short Circuit
10
20
50
100
200
500
1000
0
5
10
15
20
25
f - FREQUENCY (MHz)
Y
-
IN
P
U
T
AD
M
IT
T
AN
CE
(
m
h
o
)
ie
V
= 10V
CE
I = 5.0 mA
c
g ie
b ie
Forward Transfer Admittance vs
Frequency-Output Open Circuit
10
20
50
100
200
500
1000
0
20
40
60
80
100
f - FREQUENCY (MHz)
-
F
O
R
W
ARD
T
RAN
S
.
A
D
M
IT
T
AN
CE
(
m
h
o
)
fe
V
= 10V
CE
I = 5.0 mA
c
g
fe
-b fe
Forward Trans. Admittance vs Collector
Current-Output Short Circuit
024
68
10
0
20
40
60
80
100
120
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
Y
-
F
O
R
W
A
R
D
T
R
ANS
AD
M
IT
T
ANC
E
(m
m
h
o
)
fe
g
fe
-b fe
f = 10.7 MHz
V
= 10V
CE
C
Forward Trans. Admittance vs Collector
Current-Output Short Circuit
02468
10
0
20
40
60
80
100
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
Y
-F
O
R
W
A
RD
T
R
AN
S
.AD
M
IT
T
AN
CE
(m
m
h
o
)
fe
g
fe
-b fe
V
= 5.0V
CE
C
V
= 10V
CE
V
= 5.0V
CE
V
= 10V
CE
f = 100 MHz
PN918
/
MMBT918
NPN RF Transistor
(continued)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBT918LT3 UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBTA13LT3 300 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBTA20LT3 100 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBTA56D87Z 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MPSA56D74Z 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MMBT918LT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 50mA 15V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT918LT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 50mA 15V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTA 06 LT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT AF TRANS GP BJT NPN 80V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTA 14 LT1 功能描述:達(dá)林頓晶體管 AF Darlington NPN 30V 0.3A RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MMBTA 42 LT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT AF GP BJT NPN 300V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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