參數(shù)資料
型號(hào)： MM912H634CM1AER2
廠商： Freescale Semiconductor
文件頁(yè)數(shù)： 224/349頁(yè)
文件大?。?/td> 0K
描述： IC 64KS12 LIN2XLS/HS ISENSE
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 2,000
應(yīng)用： 自動(dòng)
核心處理器： HCS12
程序存儲(chǔ)器類(lèi)型： 閃存（64 kB）
控制器系列： HCS12
RAM 容量： 6K x 8
接口： LIN
電源電壓： 5.5 V ~ 27 V
工作溫度： -40°C ~ 125°C
安裝類(lèi)型： 表面貼裝
封裝/外殼： 48-LQFP 裸露焊盤(pán)
包裝： 帶卷 (TR)
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 48-LQFP 裸露焊盤(pán)（7x7）
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Electrical Characteristics
MM912_634 Advance Information, Rev. 10.0
Freescale Semiconductor
30
Assuming that no non-blank location is found, then the time to erase verify a D-Flash block is given by:
4.6.2.1.1.3
Erase Verify P-Flash Section (FCMD=0x03)
The maximum time to erase verify a section of P-Flash depends on the number of phrases being verified (NVP) and is given by:
4.6.2.1.1.4
Read Once (FCMD=0x04)
The maximum read once time is given by:
4.6.2.1.1.5
Program P-Flash (FCMD=0x06)
The programming time for a single phrase of four P-Flash words and the two seven-bit ECC fields is dependent on the bus
frequency, fNVMBUS, as well as on the NVM operating frequency, fNVMOP.
The typical phrase programming time is given by:
The maximum phrase programming time is given by:
4.6.2.1.1.6
Program Once (FCMD=0x07)
The maximum time required to program a P-Flash Program Once field is given by:
4.6.2.1.1.7
Erase All Blocks (FCMD=0x08)
The time required to erase all blocks is given by:
4.6.2.1.1.8
Erase P-Flash Block (FCMD=0x09)
The time required to erase the P-Flash block is given by:
t
dcheck
2800
1
f
NVMBUS
---------------------
=
t
450 N
VP
+
1
f
NVMBUS
---------------------
t
400
1
f
NVMBUS
---------------------
=
t
ppgm
164
1
f
NVMOP
------------------ 2000
1
f
NVMBUS
---------------------
+
t
ppgm
164
1
f
NVMOP
------------------ 2500
1
f
NVMBUS
---------------------
+
t
164
1
f
NVMOP
------------------ 2150
1
f
NVMBUS
---------------------
+
t
mass
100100
1
f
NVMOP
------------------ 38000
1
f
NVMBUS
---------------------
+
t
pmass
100100
1
f
NVMOP
------------------ 35000
1
f
NVMBUS
---------------------
+
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