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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MGF0951P |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, JFET |
| 封裝： | PLASTIC, LEADLESS PACKAGE-3 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 8/42頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1232K |
| 代理商： | MGF0951P |
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MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
Mar./2005
(16/42)
MGF0951P RF TEST DATA(W-CDMA)
ACLR v.s. Po
3GPP TEST MODEL1 64ch's Single Signal
ACLR -5MHz freq.=2.7GHz
VD=10V
-70
-65
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-45
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Po(dBm)
A
C
L
R
(d
B
c
)
IDQ=0.2A
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IDQ=0.2A
IDQ=0.16A
IDQ=0.12A
IDQ=0.05A
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| MGF0952P_11 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:High-power GaAs FET (small signal gain stage) |
| MGF0953P | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:High-power GaAs FET (small signal gain stage) |
| MGF0953P_11 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:High-power GaAs FET (small signal gain stage) |
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