參數(shù)資料
型號(hào)： MGB19N35CL
廠商： ON SEMICONDUCTOR
英文描述： Ignition IGBT 19 Amps, 350 Volts(19A，350V鉗位電壓，點(diǎn)火絕緣柵雙極型晶體管（D2PAK封裝）)
中文描述： 點(diǎn)火IGBT一十九安培，350伏特，（第19A，350V鉗位電壓，點(diǎn)火絕緣柵雙極型晶體管（采用D2PAK封裝））
文件頁(yè)數(shù)： 9/12頁(yè)
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代理商： MGB19N35CL
MGP19N35CL, MGB19N35CL
http://onsemi.com
9
PACKAGE DIMENSIONS
STYLE 4:
PIN 1. GATE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
4. COLLECTOR
D2PAK
CASE 418B–03
ISSUE D
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
SEATING
PLANE
S
G
D
–T–
M
0.13 (0.005)
T
2
3
1
4
3 PL
K
J
H
V
E
C
A
DIM
A
B
C
D
E
G
H
J
K
S
V
MIN
0.340
0.380
0.160
0.020
0.045
0.100 BSC
0.080
0.018
0.090
0.575
0.045
MAX
0.380
0.405
0.190
0.035
0.055
MIN
8.64
9.65
4.06
0.51
1.14
2.54 BSC
2.03
0.46
2.29
14.60
1.14
MAX
9.65
10.29
4.83
0.89
1.40
MILLIMETERS
INCHES
0.110
0.025
0.110
0.625
0.055
2.79
0.64
2.79
15.88
1.40
–B–
M
B
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MGP19N35CL Ignition IGBT 19 Amps, 350 Volts(19A，350V鉗位電壓，點(diǎn)火絕緣柵雙極型晶體管（TO-220封裝）)
MGP4N60ED Insulated Gate Bipolar Transistor with Anti-Parallel Diode
MGSF1P02LT1 Power MOSFET 750 mAmps, 20 Volts P-Channel(750mA，20V，P溝道增強(qiáng)型功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
MGSF2N02E 2.8 Amps, 20 Volts, N−Channel SOT−23
MGSF2N02EL 2.8 Amps, 20 Volts, N−Channel SOT−23
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參數(shù)描述
MGB19N35CLT4 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Ignition IGBT 19 Amps, 350 Volts N−Channel TO−220 and D-2PAK
MGB20 制造商:MICRO-ELECTRONICS 制造商全稱:Micro Electronics 功能描述:DOT POINT í 2.0mm HIGH EFFICIENCY LED LAMP
MGB20D 制造商:MICRO-ELECTRONICS 制造商全稱:Micro Electronics 功能描述:DOT POINT í 2.0mm HIGH EFFICIENCY LED LAMP
MGB20N36CL 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
MG-B2-10-L 功能描述:SWITCH MAGNETIC NC 10 L SERIES RoHS:是 類別:開(kāi)關(guān) >> 磁簧 系列:L 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 類型:模制殼體 電路:SPST-NO 必須的操作范圍:- 必須的釋放范圍:- 最大開(kāi)關(guān)電流 (DC):1A 最大開(kāi)關(guān)電壓 (DC):200V 最大開(kāi)關(guān)功率:15W 磁體:包括在內(nèi) 安裝類型:底座安裝 端接類型:- 包裝:散裝
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