參數(shù)資料
型號： MGB19N35CL
廠商： ON SEMICONDUCTOR
英文描述： Ignition IGBT 19 Amps, 350 Volts(19A，350V鉗位電壓，點火絕緣柵雙極型晶體管（D2PAK封裝）)
中文描述： 點火IGBT一十九安培，350伏特，（第19A，350V鉗位電壓，點火絕緣柵雙極型晶體管（采用D2PAK封裝））
文件頁數(shù)： 6/12頁
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代理商： MGB19N35CL
MGP19N35CL, MGB19N35CL
http://onsemi.com
6
1.5
″
4
″
4
″
4
″
0.125
″
0.2
0.00001
0.001
0.0001
0.1
10
1
0.01
0.01
t,TIME (S)
R
°
C
Single Pulse
1
10
0.1
0.05
0.02
0.01
100
1000
Duty Cycle = 0.5
0.1
Figure 13. Transient Thermal Resistance
(Non–normalized Junction–to–Ambient mounted on
fixture in Figure 14)
Figure 14. Test Fixture for Transient Thermal Curve
(48 square inches of 1/8 thick aluminum)
P(pk)
t1
t2
DUTY CYCLE, D = t1/t2
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT T1
TJ(pk) – TA = P(pk) R
θ
JA(t)
R
θ
JC
R(t) for t
≤
0.2 s
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MGP19N35CL Ignition IGBT 19 Amps, 350 Volts(19A，350V鉗位電壓，點火絕緣柵雙極型晶體管（TO-220封裝）)
MGP4N60ED Insulated Gate Bipolar Transistor with Anti-Parallel Diode
MGSF1P02LT1 Power MOSFET 750 mAmps, 20 Volts P-Channel(750mA，20V，P溝道增強(qiáng)型功率MOS場效應(yīng)管)
MGSF2N02E 2.8 Amps, 20 Volts, N−Channel SOT−23
MGSF2N02EL 2.8 Amps, 20 Volts, N−Channel SOT−23
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MGB19N35CLT4 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Ignition IGBT 19 Amps, 350 Volts N−Channel TO−220 and D-2PAK
MGB20 制造商:MICRO-ELECTRONICS 制造商全稱:Micro Electronics 功能描述:DOT POINT í 2.0mm HIGH EFFICIENCY LED LAMP
MGB20D 制造商:MICRO-ELECTRONICS 制造商全稱:Micro Electronics 功能描述:DOT POINT í 2.0mm HIGH EFFICIENCY LED LAMP
MGB20N36CL 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
MG-B2-10-L 功能描述:SWITCH MAGNETIC NC 10 L SERIES RoHS:是 類別:開關(guān) >> 磁簧 系列:L 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 類型:模制殼體 電路:SPST-NO 必須的操作范圍:- 必須的釋放范圍:- 最大開關(guān)電流 (DC):1A 最大開關(guān)電壓 (DC):200V 最大開關(guān)功率:15W 磁體:包括在內(nèi) 安裝類型:底座安裝 端接類型:- 包裝:散裝
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