參數(shù)資料
型號(hào)： BUK664R6-40C
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-channel TrenchMOS intermediate level FET
中文描述： 80 A, 40 V, 0.0046 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, D2PAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 11/14頁(yè)
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代理商： BUK664R6-40C
BUK664R6-40C
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Product data sheet
Rev. 2 — 17 November 2010
11 of 14
NXP Semiconductors
BUK664R6-40C
N-channel TrenchMOS intermediate level FET
8.
Revision history
Table 7.
Document ID
BUK664R6-40C v.2
Modifications:
BUK664R6-40C v.1
Revision history
Release date
20101117
Status changed from objective to product.
20100521
Data sheet status
Product data sheet
Change notice
-
Supersedes
BUK664R6-40C v.1
Objective data sheet
-
-
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUK664R8-75C N-channel TrenchMOS FET
BUK6C1R5-40C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
BUK6E2R0-30C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
BUK6E2R3-40C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
BUK6E3R2-55C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BUK664R6-40C,118 功能描述:MOSFET N-CHANNEL TRENCHMOS INTERMEDIATE LVL FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK664R8-75C 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFETN CH75V120ASOT404 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,N CH,75V,120A,SOT404
BUK664R8-75C,118 功能描述:MOSFET N-CHANNEL TRENCHMOS FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK6C2R1-55C 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N CH 55V 228A D2PAK 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, N CH, 55V, 228A, D2PAK 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, N CH, 55V, 228A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:228A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):0.0023ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.3V ;RoHS Compliant: Yes
BUK6C2R1-55C,118 功能描述:MOSFET N-chan TrenchMOS FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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