參數(shù)資料
型號(hào)： BUK664R6-40C
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-channel TrenchMOS intermediate level FET
中文描述： 80 A, 40 V, 0.0046 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, D2PAK-3
文件頁數(shù)： 5/14頁
文件大?。?/td> 356K
代理商： BUK664R6-40C
BUK664R6-40C
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Product data sheet
Rev. 2 — 17 November 2010
5 of 14
NXP Semiconductors
BUK664R6-40C
N-channel TrenchMOS intermediate level FET
5.
Thermal characteristics
Table 5.
Symbol
R
th(j-mb)
Thermal characteristics
Parameter
thermal resistance from
junction to mounting base
Conditions
see
Figure 4
Min
-
Typ
-
Max
0.95
Unit
K/W
Fig 4.
Transient thermal impedance from junction to mounting base as a function of pulse duration
003aad070
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
tp (s)
Z
th (j-mb)
(K/W)
δ
= 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
single shot
t
p
T
P
t
t
p
T
δ
=
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PDF描述
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