參數資料
型號： BUK664R6-40C
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-channel TrenchMOS intermediate level FET
中文描述： 80 A, 40 V, 0.0046 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, D2PAK-3
文件頁數： 8/14頁
文件大小： 356K
代理商： BUK664R6-40C
BUK664R6-40C
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Product data sheet
Rev. 2 — 17 November 2010
8 of 14
NXP Semiconductors
BUK664R6-40C
N-channel TrenchMOS intermediate level FET
Fig 9.
Gate-source threshold voltage as a function of
junction temperature
Fig 10. Sub-threshold drain current as a function of
gate-source voltage
Fig 11. Drain-source on-state resistance as a function
of drain current; typical values
Fig 12. Normalized drain-source on-state resistance
factor as a function of junction temperature
003aad805
0
1
2
3
4
-60
0
60
120
180
T
j
(
°
C)
V
GS(th)
(V)
max
typ
min
003aad806
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
I
D
(A)
0
1
2
3
4
V
GS
(V)
max
typ
min
003aae322
0
5
10
15
20
0
20
40
60
80
100
I
D
(A)
R
DSon
(m
Ω
)
10.0
6.0
4.5
V
GS
(V) = 3.8
5.0
4.0
003aad793
0
0.5
1
1.5
2
2.5
-60
0
60
120
180
T
j
(
°
C)
a
相關PDF資料
PDF描述
BUK664R8-75C N-channel TrenchMOS FET
BUK6C1R5-40C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
BUK6E2R0-30C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
BUK6E2R3-40C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
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參數描述
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