參數(shù)資料
型號(hào)： BUK664R6-40C
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-channel TrenchMOS intermediate level FET
中文描述： 80 A, 40 V, 0.0046 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, D2PAK-3
文件頁數(shù)： 9/14頁
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代理商： BUK664R6-40C
BUK664R6-40C
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Product data sheet
Rev. 2 — 17 November 2010
9 of 14
NXP Semiconductors
BUK664R6-40C
N-channel TrenchMOS intermediate level FET
Fig 13. Gate charge waveform definitions
Fig 14. Gate-source voltage as a function of gate
charge; typical values
Fig 15. Input, output and reverse transfer capacitances
as a function of drain-source voltage; typical
values
Fig 16. Source current as a function of source-drain
voltage; typical values
003aaa508
V
GS
V
GS(th)
Q
GS1
Q
GS2
Q
GD
V
DS
Q
G(tot)
I
D
Q
GS
V
GS(pl)
003aae324
0
2
4
6
8
10
0
25
50
75
100
Q
G
(nC)
V
GS
(V)
V
DS
= 32 V
14 V
003aae321
10
2
10
3
10
4
10
-1
1
10
10
2
V
DS
(V)
C
(pF)
C
iss
C
rss
C
oss
003aae325
0
20
40
60
80
100
I
S
(A)
0
0.3
0.6
0.9
1.2
V
SD
(V)
T
j
= 25
°
C
T
j
= 175
°
C
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PDF描述
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