VPULL_UP
參數(shù)資料
型號： MCP6566RT-E/OT
廠商： Microchip Technology
文件頁數(shù)： 25/30頁
文件大小： 0K
描述： IC COMPARATOR O-D 1.8V SOT23-5
產(chǎn)品培訓模塊： MCP656x
標準包裝： 1
類型： 通用
元件數(shù)： 1
輸出類型： CMOS，開路漏極
電壓 - 電源，單路/雙路(±)： 1.8 V ~ 5.5 V
電壓 - 輸入偏移（最小值）： 10mV @ 5.5V
電流 - 輸入偏壓（最小值）： 1pA @ 5.5V
電流 - 輸出（標準）： 50mA
電流 - 靜態(tài)（最大值）： 130µA
CMRR, PSRR（標準）： 66dB CMRR，70dB PSRR
傳輸延遲（最大）： 80ns
磁滯： 5mV
工作溫度： -40°C ~ 125°C
封裝/外殼： SC-74A，SOT-753
安裝類型： 表面貼裝
包裝： 標準包裝
產(chǎn)品目錄頁面： 681 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱： MCP6566RT-E/OTDKR
MCP6566/6R/6U/7/9
DS22143C-page 4
2011 Microchip Technology Inc.
Push-Pull Output
Pull-up Voltage
VPULL_UP
1.6
—
5.5
V
High Level Output Voltage
VOH
——
VPULL_UP
V
High Level Output Current leakage
IOH_leak
——
1
A
Low Level Output Voltage
VOL
——
0.6
V
IOUT = 3mA/8mA @ VDD = 1.8V/5.5V
Short Circuit Current
ISC
—
±30
—
mA
Not to exceed Absolute Max. Rating
Output Pin Capacitance
COUT
—8
—
pF
DC CHARACTERISTICS (CONTINUED)
Electrical Characteristics: Unless otherwise indicated: V
DD = +1.8V to +5.5V, VSS = GND, TA = +25°C, VIN+ = VDD/2, VIN- = VSS,
and RPull-Up = 20 k to VPU = VDD (see Figure 1-1).
Parameters
Symbol
Min
Typ
Max
Units
Conditions
Note 1:
The input offset voltage is the center of the input-referred trip points. The input hysteresis is the difference between the
input-referred trip points.
2:
VHYST at different temperatures is estimated using VHYST (TA) = VHYST @ +25°C + (TA - 25°C) TC1 + (TA - 25°C)
2 TC
2.
3:
Limit the output current to Absolute Maximum Rating of 50 mA.
4:
The pull-up voltage for the open drain output VPULL_UP can be as high as the absolute maximum rating of 10.5V. In this
case, IOH_leak can be higher than 1 A (see Figure 2-30).
AC CHARACTERISTICS
Electrical Characteristics: Unless otherwise indicated,: Unless otherwise indicated,: V
DD = +1.8V to +5.5V, VSS = GND,
TA = +25°C, VIN+ = VDD/2, VIN- = VSS, RPull-Up = 20 k to VPU = VDD, and CL = 25 pf (see Figure 1-1).
Parameters
Symbol
Min
Typ
Max
Units
Conditions
Propagation Delay
High-to-Low,100 mV Overdrive
tPHL
—56
80
ns
VCM= VDD/2, VDD = 1.8V
—34
80
ns
VCM= VDD/2, VDD = 5.5V
Output
Fall Time
tF
—20
—
ns
Maximum Toggle Frequency
fTG
—4
—
MHz
VDD = 5.5V
—2
—
MHz
VDD = 1.8V
Input Voltage Noise
ENI
—350
—
V
P
-P
10 Hz to 10 MHz
Note 1:
ENI is based on SPICE simulation.
2:
Rise time tR and tPLH depend on the load (RL and CL). These specification are valid for the specified load only.
TEMPERATURE SPECIFICATIONS
Electrical Characteristics: Unless otherwise indicated: V
DD = +1.8V to +5.5V and VSS = GND.
Parameters
Symbol
Min
Typ
Max
Units
Conditions
Temperature Ranges
Specified Temperature Range
TA
-40
—
+125
°C
Operating Temperature Range
TA
-40
—
+125
°C
Storage Temperature Range
TA
-65
—
+150
°C
Thermal Package Resistances
Thermal Resistance, SC70-5
JA
—
331
—
°C/W
Thermal Resistance, SOT-23-5
JA
—220.7
—
°C/W
Thermal Resistance, 8L-MSOP
JA
—211
—
°C/W
Thermal Resistance, 8L-SOIC
JA
—149.5
—
°C/W
Thermal Resistance, 14L-SOIC
JA
—95.3
—
°C/W
Thermal Resistance, 14L-TSSOP
JA
—
100
—
°C/W
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