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參數(shù)資料
| 型號： | MCP6566RT-E/OT |
| 廠商： | Microchip Technology |
| 文件頁數(shù)： | 18/30頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC COMPARATOR O-D 1.8V SOT23-5 |
| 產(chǎn)品培訓模塊： | MCP656x |
| 標準包裝： | 1 |
| 類型： | 通用 |
| 元件數(shù)： | 1 |
| 輸出類型： | CMOS，開路漏極 |
| 電壓 - 電源，單路/雙路(±)： | 1.8 V ~ 5.5 V |
| 電壓 - 輸入偏移（最小值）： | 10mV @ 5.5V |
| 電流 - 輸入偏壓（最小值）： | 1pA @ 5.5V |
| 電流 - 輸出（標準）： | 50mA |
| 電流 - 靜態(tài)（最大值）： | 130µA |
| CMRR, PSRR（標準）： | 66dB CMRR，70dB PSRR |
| 傳輸延遲（最大）： | 80ns |
| 磁滯： | 5mV |
| 工作溫度： | -40°C ~ 125°C |
| 封裝/外殼： | SC-74A，SOT-753 |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 包裝： | 標準包裝 |
| 產(chǎn)品目錄頁面： | 681 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名稱： | MCP6566RT-E/OTDKR |
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DS580F6
33
CS8406
Notes:
1. “D” and “E1” are reference datums and do not included mold flash or protrusions, but do include mold
mismatch and are measured at the parting line, mold flash or protrusions shall not exceed 0.20 mm per
side.
2. Dimension “b” does not include da mbar protrusion/intrusion. Allowable dambar protrusion shall be
0.13 mm total in excess of “b” dimension at maximum material condition. Dambar intrusion shall not re-
duce dimension “b” by more than 0.07 mm at least material condition.
3. These dimensions apply to the flat section of the lead between 0.10 and 0.25 mm from lead tips.
INCHES
MILLIMETERS
NOTE
DIM
MIN
NOM
MAX
MIN
NOM
MAX
A
--
--0.47--
--1.20
A1
0.002
0.004
0.006
0.05
0.10
0.15
A2
0.03150
0.035
0.04
0.80
0.90
1.00
b
0.00748
0.0096
0.012
0.19
0.245
0.30
2,3
D
0.378 BSC
0.382 BSC
0.386 BSC
9.60 BSC
9.70 BSC
9.80 BSC
1
E
0.248
0.2519
0.256
6.30
6.40
6.50
E1
0.169
0.1732
0.177
4.30
4.40
4.50
1
e
--
0.026 BSC
--
0.65 BSC
--
L
0.020
0.024
0.029
0.50
0.60
0.75
0°
4°8°
0°4°8°
JEDEC #: MO-153
Controlling Dimension is Millimeters.
28L TSSOP (4.4 mm BODY) PACKAGE DRAWING
E
N
1 23
e
b2
A1
A2
A
D
SEATING
PLANE
E11
L
SIDE VIEW
END VIEW
TOP VIEW
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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