V
參數(shù)資料
型號： MCP6566RT-E/OT
廠商： Microchip Technology
文件頁數(shù)： 14/30頁
文件大?。?/td> 0K
描述： IC COMPARATOR O-D 1.8V SOT23-5
產(chǎn)品培訓模塊： MCP656x
標準包裝： 1
類型： 通用
元件數(shù)： 1
輸出類型： CMOS，開路漏極
電壓 - 電源，單路/雙路(±)： 1.8 V ~ 5.5 V
電壓 - 輸入偏移（最小值）： 10mV @ 5.5V
電流 - 輸入偏壓（最小值）： 1pA @ 5.5V
電流 - 輸出（標準）： 50mA
電流 - 靜態(tài)（最大值）： 130µA
CMRR, PSRR（標準）： 66dB CMRR，70dB PSRR
傳輸延遲（最大）： 80ns
磁滯： 5mV
工作溫度： -40°C ~ 125°C
封裝/外殼： SC-74A，SOT-753
安裝類型： 表面貼裝
包裝： 標準包裝
產(chǎn)品目錄頁面： 681 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱： MCP6566RT-E/OTDKR
2011 Microchip Technology Inc.
DS22143C-page 3
MCP6566/6R/6U/7/9
1.0
ELECTRICAL
CHARACTERISTICS
1.1
Maximum Ratings*
VDD - VSS ....................................................................... 6.5V
Open-Drain Output.............................................VSS + 10.5V
All other inputs and outputs...........VSS – 0.3V to VDD + 0.3V
Difference Input voltage ......................................|VDD - VSS|
Output Short Circuit Current .................................... ±25 mA
Current at Input Pins .................................................. ±2 mA
Current at Output and Supply Pins .......................... ±50 mA
Storage temperature ................................... -65°C to +150°C
Ambient temp. with power applied .............. -40°C to +125°C
Junction temp............................................................ +150°C
ESD protection on all pins (HBM/MM)
4 kV/300V
*Notice: Stresses above those listed under “Maximum
Ratings” may cause permanent damage to the device. This is
a stress rating only and functional operation of the device at
those or any other conditions above those indicated in the
operational listings of this specification is not implied. Expo-
sure to maximum rating conditions for extended periods may
affect device reliability.
DC CHARACTERISTICS
Electrical Characteristics: Unless otherwise indicated: V
DD = +1.8V to +5.5V, VSS = GND, TA = +25°C, VIN+ = VDD/2, VIN- = VSS,
and RPull-Up = 20 k to VPU = VDD (see Figure 1-1).
Parameters
Symbol
Min
Typ
Max
Units
Conditions
Power Supply
Supply Voltage
VDD
1.8
—
5.5
V
Quiescent Current per comparator
IQ
60
100
130
A
IOUT = 0
Power Supply Rejection Ratio
PSRR
63
70
—
dB
VCM = VSS
Input
Input Offset Voltage
VOS
-10
3+10
mV
VCM = VSS (Note 1)
Input Offset Drift
V
OS/T—
2—
V/°C
VCM = VSS
Input Offset Current
IOS
—
1—
pA
VCM = VSS
Input Bias Current
IB
—1
—
pA
TA = +25°C, VIN- = VDD/2
—60
—
pA
TA = +85°C, VIN- = VDD/2
—
1500
5000
pA
TA = +125°C, VIN- = VDD/2
Input Hysteresis Voltage
VHYST
1.0
—
5.0
mV
VCM = VSS (Notes 1, 2)
Input Hysteresis Linear Temp. Co.
TC1
—10
—
V/°C
Input Hysteresis Quadratic Temp. Co.
TC2
—0.3
—
V/°C2
Common-Mode Input Voltage Range
VCMR
VSS0.2
—
VDD+0.2
V
VDD = 1.8V
VSS0.3
—
VDD+0.3
V
VDD = 5.5V
Common-Mode Rejection Ratio
CMRR
54
66
—
dB
VCM= -0.3V to VDD+0.3V, VDD = 5.5V
50
63
—
dB
VCM= VDD/2 to VDD+0.3V, VDD = 5.5V
54
65
—
dB
VCM= -0.3V to VDD/2, VDD = 5.5V
Common Mode Input Impedance
ZCM
—1013||4
—
||pF
Differential Input Impedance
ZDIFF
—1013||2
—
||pF
Note 1:
The input offset voltage is the center of the input-referred trip points. The input hysteresis is the difference between the
input-referred trip points.
2:
VHYST at different temperatures is estimated using VHYST (TA) = VHYST @ +25°C + (TA - 25°C) TC1 + (TA - 25°C)
2 TC
2.
3:
Limit the output current to Absolute Maximum Rating of 50 mA.
4:
The pull-up voltage for the open drain output VPULL_UP can be as high as the absolute maximum rating of 10.5V. In this
case, IOH_leak can be higher than 1 A (see Figure 2-30).
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PDF描述
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