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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M12L64322A-6T |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | PT 5C 5#16 SKT RECP |
| 中文描述： | 為512k × 32位× 4個(gè)銀行同步DRAM |
| 文件頁數(shù)： | 18/44頁 |
| 文件大?。?/td> | 813K |
| 代理商： | M12L64322A-6T |
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ESMT
M12L64322A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Publication Date: May. 2004
Revision
:
1.7
18/44
3.
CAS
Interrupt (I)
*Note : 1. By “interrupt” is meant to stop burst read/write by external before the end of burst.
By ” CAS interrupt ”, to stop burst read/write by CAS access ; read and write.
2. t
CCD
:CAS to CAS delay. (=1CLK)
3. t
CDL
: Last data in to new column address delay. (=1CLK)
CLK
C M D
AD D
DQ( CL2)
DQ(CL3)
R D
QB0
QB2
QA0
CLK
C M D
AD D
DQ
W R
DA0
DB0
DB1
R D
A
B
QB1
QB3
QB0
QB2
QA0
QB3
QB1
t
CC D
*N ot e 2
W R
t
C CD *N o t e 2
A
B
t
CD L
*N ot e 3
W R
R D
t
C CD *N o t e 2
A
B
DA0
DQ0
DQ1
t
CD L
*N ot e 3
DA0
DQ0
DQ1
DQ( CL3)
DQ( CL2)
1) R ea d in t er r u p t ed b y R ead ( B L = 4 )
2) W r it e in t e r r u p t ed b y W r it e ( B L = 2 )
3) W r i t e i n t e r r u p t ed b y R e ad ( B L= 2 )
*Not e 1
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M12L64322A-7T | 512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12S16161A | 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M12S16161A-10T | 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M12S16161A-10TG | 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M12S16161A-15T | 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M12L64322A-6TG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L64322A-6TG2U | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 32 Bit x 4 Banks |
| M12L64322A-6TIG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L64322A-7BG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L64322A-7BG2U | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 32 Bit x 4 Banks |
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