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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M12L16161A |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 為512k × 16Bit的X 2Banks同步DRAM |
| 文件頁數(shù)： | 8/27頁 |
| 文件大?。?/td> | 566K |
| 代理商： | M12L16161A |
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M12L16161A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
P.
8
Publication Date : J an. 2000
Revision : 1.3u
Mode Register
11 10 9 8 7 6 5 4 3 2 1 0
0
0 0 0 1
11 10 9 8 7 6 5 4 3 2 1 0
x
x 1 0 0 LTMODE
JEDEC Standard Test Set (refresh counter test)
WT BL
Burst Read and Single Write (for Write
Through Cache)
11 10 9 8 7 6 5 4 3 2 1 0
1 0
11 10 9 8 7 6 5 4 3 2 1 0
x
x x 1 1 v v v v v v v
11 10 9 8 7 6 5 4 3 2 1 0 v =Valid
0
0 0 0 0 LTMODE
WT BL
Use in future
Vender Specific
Mode Register Set x =Don’t care
Bit2-0
000
001
010
011
100
101
110
111
WT=0
1
2
4
8
R
R
R
Full page
WT=1
1
2
4
8
R
R
R
R
Burst length
0
1
Sequential
Interleave
Wrap type
Bits6-4
000
001
010
011
100
101
110
111
CASLatency
R
R
2
3
R
R
R
R
Latency mode
Mode Register Write Timing
Remark R : Reserved
Mode Register Write
CLOCK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
A0-A11
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M12L16161A-5.5T | 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M12L16161A-5T | 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M12L16161A-6T | 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M12L16161A-7T | 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M12L16161A-8T | 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M12L16161A_05 | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M12L16161A_08 | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M12L16161A_1 | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
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| M12L16161A-4.3T | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
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