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參數(shù)資料
| 型號： | M12L16161A |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 為512k × 16Bit的X 2Banks同步DRAM |
| 文件頁數(shù)： | 16/27頁 |
| 文件大?。?/td> | 566K |
| 代理商： | M12L16161A |
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M12L16161A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
P.
16
Publication Date : J an. 2000
Revision : 1.3u
Page Read Cycle at Different Bank @ Burst Length=4
*Note: 1.CS can be don’t cared when RAS, CAS and WE are high at the clock high going dege.
2.To interrupt a burst read by row precharge, both the read and the precharge banks must be the same.
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CLOCK
CKE
CS
RAS
CAS
BA
ADDR
A10/ AP
CL=2
CL=3
WE
DQM
HIGH
*Note2
RAa
CAa RBb
RAa
Read
(A-Bank)
Row Active
Row Active
(B-Bank)
(A-Bank)
Read
(A-Bank)
Read
(B-Bank)
Read
(A-Bank)
Read
(B-Bank)
Precharge
(A-Bank)
: Don't care
DQ
0
1
2
CBb
CAc
CBd
CAe
QAa0 QAa1 QAa2 QAa3 QBb0 QBb1 QBb2 QBb3 QAc0 QAc1 QBd0 QBd1 QAe0 QAe1
QAa0 QAa1 QAa2 QAa3 QBb0 QBb1 QBb2 QBb3 QAc0 QAc1 QBd0 QBd1 QAe0 QAe1
*Note1
RBb
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M12L16161A-5.5T | 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M12L16161A-5T | 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M12L16161A-6T | 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M12L16161A-7T | 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M12L16161A-8T | 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M12L16161A_05 | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M12L16161A_08 | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M12L16161A_1 | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M12L16161A2Q | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 16Bit x 2Banks |
| M12L16161A-4.3T | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
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