參數(shù)資料
型號： LT1160
廠商： Linear Technology Corporation
英文描述： Half-/Full-Bridge N-Channel Power MOSFET Drivers(半橋,N-溝道功率MOS場效應管驅動器)
中文描述： Half-/Full-Bridge N溝道功率MOSFET驅動器（半橋的N溝道功率馬鞍山場效應管驅動器）
文件頁數(shù)： 5/16頁
文件大?。?/td> 287K
代理商： LT1160
5
LT1160/LT1162
TYPICAL PERFOR
M
A
CE CHARACTERISTICS
U
TEMPERATURE (
°
C)
–50
B
100
230
210
190
170
150
130
110
90
70
50
1160/62 G10
0
–25
25
50
75
125
C
LOAD
= 10000pF
C
LOAD
= 3000pF
C
LOAD
= 1000pF
V
+
= 12V
Bottom Gate Rise Time
vs Temperature
TEMPERATURE (
°
C)
–50
B
100
210
190
170
150
130
110
90
70
50
30
1160/62 G11
0
–25
25
50
75
125
C
LOAD
= 10000pF
C
LOAD
= 3000pF
V
+
= 12V
C
LOAD
= 1000pF
Bottom Gate Fall Time
vs Temperature
TEMPERATURE (
°
C)
–50
T
100
300
280
260
240
220
200
180
160
140
120
100
80
1160/62 G12
0
–25
25
50
75
125
C
LOAD
= 10000pF
C
LOAD
= 3000pF
V
+
= 12V
C
LOAD
= 1000pF
Top Gate Rise Time
vs Temperature
TEMPERATURE (
°
C)
–50
T
100
11160/62 G13
0
50
180
160
140
120
100
80
60
40
20
–25
25
75
125
C
LOAD
= 10000pF
C
LOAD
= 3000pF
V
+
= 12V
C
LOAD
= 1000pF
TEMPERATURE (
°
C)
–50
T
100
400
350
300
250
200
150
100
1160/62 G15
0
–25
25
50
75
125
BOTTOM DRIVER
TOP DRIVER
V
+
= 12V
C
LOAD
= 3000pF
Turn-On Delay Time
vs Temperature
TEMPERATURE (
°
C)
–50
T
100
400
350
300
250
200
150
100
1160/62 G14
0
–25
25
50
75
125
BOTTOM DRIVER
TOP DRIVER
V
+
= 12V
C
LOAD
= 3000pF
Turn-Off Delay Time
vs Temperature
TEMPERATURE (
°
C)
–50
L
100
400
350
300
250
200
150
100
1160/62 G16
0
–25
25
50
75
125
BOTTOM DRIVER
TOP DRIVER
V
+
= 12V
C
LOAD
= 3000pF
Lockout Delay Time
vs Temperature
TEMPERATURE (
°
C)
–50
R
100
400
350
300
250
200
150
100
1160/62 G17
0
–25
25
50
75
125
BOTTOM DRIVER
TOP DRIVER
V
+
= 12V
C
LOAD
= 3000pF
Release Delay Time
vs Temperature
(LT1160 or 1/2 LT1162)
Top Gate Fall Time
vs Temperature
相關PDF資料
PDF描述
LT1161 1-of-8 Data Selectors/Multiplexers With 3-State Outputs 16-SOIC 0 to 70
LT1161C Quad Protected High-Side MOSFET Driver
LT1161CN Quad Protected High-Side MOSFET Driver
LT1161CS Quad Protected High-Side MOSFET Driver
LT1161I Quad Protected High-Side MOSFET Driver
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
LT1160_1 制造商:LINEAR 制造商全稱:LINEAR 功能描述:Half-/Full-Bridge N-Channel Power MOSFET Drivers
LT1160CN 功能描述:IC PWR MOSFET DRIVER N-CH 14-DIP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關 系列:- 標準包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應商設備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063
LT1160CN#PBF 功能描述:IC PWR MOSFET DRIVER N-CH 14-DIP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關 系列:- 標準包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應商設備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063
LT1160CS 功能描述:IC PWR MOSFET DRIVER N-CH 14SOIC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關 系列:- 標準包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應商設備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063
LT1160CS#PBF 功能描述:IC PWR MOSFET DRIVER N-CH 14SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關 系列:- 標準包裝:95 系列:- 配置:高端和低端，獨立 輸入類型:非反相 延遲時間:160ns 電流 - 峰:290mA 配置數(shù):1 輸出數(shù):2 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:600V 電源電壓:10 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:管件 產品目錄頁面:1381 (CN2011-ZH PDF)
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