參數(shù)資料
型號： LT1160
廠商： Linear Technology Corporation
英文描述： Half-/Full-Bridge N-Channel Power MOSFET Drivers(半橋,N-溝道功率MOS場效應(yīng)管驅(qū)動(dòng)器)
中文描述： Half-/Full-Bridge N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器（半橋的N溝道功率馬鞍山場效應(yīng)管驅(qū)動(dòng)器）
文件頁數(shù)： 16/16頁
文件大?。?/td> 287K
代理商： LT1160
16
LT1160/LT1162
Linear Technology Corporation
1630 McCarthy Blvd., Milpitas, CA 95035-7417
(408) 432-1900
G
FAX
: (408) 434-0507
G
TELEX
: 499-3977
LT/GP 0196 10K PRINTED IN USA
LINEAR TECHNOLOGY CORPORATION 1995
RELATED PARTS
PART NUMBER
LT1158
DESCRIPTION
Half-Bridge N-Channel Power MOSFET Driver
COMMENTS
Single Input, Continuous Current Protection and Internal Charge
Pump for DC Operation
Onboard Boost Regulator to Supply the High Side Driver
LT1336
Half-Bridge N-Channel Power MOSFET Driver with
Boost Regulator
PACKAGE DESCRIPTIO
N
U
Dimensions in inches (millimeters) unless otherwise noted.
S24 (WIDE) 0695
NOTE 1
0.598 – 0.614*
(15.190 – 15.600)
22
21
20
19
18
17
16
15
1
2
3
4
5
6
7
8
0.394 – 0.419
(10.007 – 10.643)
9
10
13
14
11
12
23
24
0.037 – 0.045
(0.940 – 1.143)
0.004 – 0.012
(0.102 – 0.305)
0.093 – 0.104
(2.362 – 2.642)
0.050
(1.270)
TYP
0.014 – 0.019
(0.356 – 0.482)
0
°
– 8
°
TYP
NOTE 1
0.009 – 0.013
(0.229 – 0.330)
0.016 – 0.050
(0.406 – 1.270)
0.291 – 0.299**
(7.391 – 7.595)
0.010 – 0.029
(0.254 – 0.737)
×
45
°
NOTE:
1. PIN 1 IDENT, NOTCH ON TOP AND CAVITIES ON THE BOTTOM OF PACKAGES ARE THE MANUFACTURING OPTIONS
THE PART MAY BE SUPPLIED WITH OR WITHOUT ANY OF THE OPTIONS.
DIMENSION DOES NOT INCLUDE MOLD FLASH. MOLD FLASH SHALL NOT EXCEED 0.006" (0.152mm) PER SIDE
DIMENSION DOES NOT INCLUDE INTERLEAD FLASH. INTERLEAD FLASH SHALL NOT EXCEED 0.010" (0.254mm) PER SIDE
*
**
SW Package
24-Lead Plastic Small Outline (Wide 0.300)
(LTC DWG # 05-08-1620)
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PDF描述
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LT1160CN 功能描述:IC PWR MOSFET DRIVER N-CH 14-DIP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063
LT1160CN#PBF 功能描述:IC PWR MOSFET DRIVER N-CH 14-DIP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063
LT1160CS 功能描述:IC PWR MOSFET DRIVER N-CH 14SOIC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063
LT1160CS#PBF 功能描述:IC PWR MOSFET DRIVER N-CH 14SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:95 系列:- 配置:高端和低端，獨(dú)立 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:160ns 電流 - 峰:290mA 配置數(shù):1 輸出數(shù):2 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:600V 電源電壓:10 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1381 (CN2011-ZH PDF)
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