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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | LM5112-SDX |
| 廠商： | NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | MOSFETs |
| 英文描述： | Tiny 7A MOSFET Gate Driver |
| 中文描述： | 7 A BUF OR INV BASED MOSFET DRIVER, DSO6 |
| 封裝： | 3 X 3 MM, LLP-6 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/10頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 236K |
| 代理商： | LM5112-SDX |
Timing Waveforms
20066804
(a)
20066805
(b)
FIGURE 1. (a) Inverting, (b) Non-Inverting
L
www.national.com
4
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| LM5112SDX/NOPB | 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube |
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| LM5113LLPEVB/NOPB | 功能描述:電源管理IC開(kāi)發(fā)工具 LM5113 Eval Brd RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 產(chǎn)品:Evaluation Kits 類型:Battery Management 工具用于評(píng)估:MAX17710GB 輸入電壓: 輸出電壓:1.8 V |
| LM5113SD | 制造商:TI 制造商全稱:Texas Instruments 功能描述:LM5113 5A, 100V Half-Bridge Gate Driver for Enhancement Mode GaN FETs |
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